[发明专利]一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法在审
| 申请号： | 201911061487.3 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110828316A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 姜昱丞;贺安鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钛酸锶 表面 电子 pn 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）以单晶钛酸锶为衬底，采用物理或化学方法将P型材料PM沉积或粘贴于衬底上；
（2）在衬底一侧采用光刻工艺覆盖光刻胶，光刻胶覆盖面积占衬底PM表面面积的1/2～2/3，衬底另一侧的其余面积呈PM表面暴露状态；
（3）采用离子束刻蚀工艺将暴露的PM全部刻蚀后，再刻蚀钛酸锶衬底直至表面形成钛酸锶表面电子气SSEG；
（4）依次用丙酮、酒精、去离子水清洗后，得到PM与SSEG的钛酸锶表面电子气PN结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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