[发明专利]一种晶圆切片方法及芯片在审
| 申请号： | 201911062069.6 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110838439A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 诸舜杰;阮孟波;董建新 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 切片 方法 芯片 | ||
1.一种晶圆切片方法，其特征在于，包括：
通过第一刻蚀工艺对晶圆上表面的划片道进行刻蚀至目标深度；
在上表面划片道刻蚀至目标厚度的晶圆上部设置键合片；
通过第二刻蚀工艺对晶圆下表面的划片道进行刻蚀直到所述下表面划片道与上表面划片道连通；以及
通过在所述晶圆的下表面贴划片膜并去除所述键合片后，获得分离后的芯片。
2.如权利要求1所述的一种晶圆切片方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺与所述第二刻蚀工艺相同或不同。
3.如权利要求1所述的一种晶圆切片方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺与所述第二刻蚀工艺都为深度反应离子刻蚀工艺。
4.如权利要求1所述的一种晶圆切片方法，其特征在于，所述通过第一刻蚀工艺对晶圆的上表面划片道进行刻蚀之前，包括：
在所述晶圆上表面依次淀积阻挡层，涂光刻胶，进行光刻，然后去除不需要的阻挡层区域，最后获得划片道。
5.如权利要求1所述的一种晶圆切片方法，其特征在于，所述通过第一刻蚀工艺对晶圆上表面的划片道进行刻蚀至目标深度之后，包括：去除晶圆上表面的阻挡层，在所述晶圆的上表面设置键合片。
6.如权利要求5所述的一种晶圆切片方法，其特征在于，所述键合片通过结合胶设置在上表面刻蚀后的晶圆上部。
7.如权利要求1所述的一种晶圆切片方法，其特征在于，所述通过第二刻蚀工艺对晶圆的下表面划片道刻蚀之前，包括：
在所述晶圆下表面依次淀积阻挡层，涂光刻胶，进行光刻，然后去除不需要的下表面阻挡层区域，最后获得下表面划片道。
8.如权利要求7所述的一种晶圆切片方法，其特征在于，所述在所述晶圆下表面依次淀积阻挡层，涂光刻胶之前，包括，通过物理手段将所述晶圆的下表面减薄。
9.如权利要求7所述的一种晶圆切片方法，其特征在于，所述通过在所述晶圆的下表面贴划片膜之前，包括：去除晶圆下表面阻挡层。
10.如权利要求9所述的一种晶圆切片方法，其特征在于，所述去除晶圆下表面阻挡层之后，还包括，对所述晶圆下表面进行金属化处理。
11.一种芯片，通过权利要求1-9任一项所述的一种晶圆切片方法制得。
12.一种芯片，通过权利要求1-10任一项所述的一种晶圆切片方法制得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海韦尔半导体股份有限公司，未经上海韦尔半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911062069.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种ECM胶搅拌装置
- 下一篇：一种预灌针脱巢机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
