[发明专利]集流体及其制备方法、电极片和二次电池在审

专利信息
申请号: 201911063329.1 申请日: 2019-10-31
公开(公告)号: CN110911689A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 邓永红;张震;谷猛;韩兵;王庆荣 申请(专利权)人: 南方科技大学
主分类号: H01M4/66 分类号: H01M4/66;C22C28/00;C22C9/00
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 张杨梅
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 流体 及其 制备 方法 电极 二次 电池
【权利要求书】:

1.一种集流体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

获取铜金属基底和镓基液态金属;

将所述镓基液态金属涂覆在所述铜金属基底的表面,使得所述镓基液态金属与所述铜金属基底表面的铜发生合金化反应,制备表面形成有合金层的铜金属基底,所述合金层的材料为铜镓基合金。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述镓基液态金属的通式为Ga-X,其中,X为In、Sn或In-Sn。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述镓基液态金属为铟镓锡液态金属和/或镓锡液态金属。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法,其特征在于,将所述液态金属涂覆在所述铜金属基底的表面的步骤中,在23-30℃下将所述液态金属涂覆在所述铜金属基底的表面。

5.一种集流体,其特征在于,包括:铜金属基底以及设置在所述铜金属基底上的合金层,所述合金层的材料为铜镓基合金。

6.根据权利要求5所述的集流体,其特征在于,所述铜镓基合金的通式为Cu-Ga-X,其中,X为In、Sn或In-Sn。

7.根据权利要求5所述的集流体,其特征在于,所述铜镓基合金为铜铟镓锡合金和/或铜镓锡合金。

8.一种电极片,其特征在于,包括:由权利要求1至4中任一项所述的制备方法制得的集流体或权利要求5至7中任一项所述的集流体,以及沉积在所述集流体上的金属层;所述金属层设置在所述合金层远离所述铜金属基底的表面。

9.根据权利要求8所述的电极片,其特征在于,所述金属层的材料为锂或钠。

10.一种二次电池,其特征在于,包括权利要求8或9所述的电极片。

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