[发明专利]像素单元、图像传感器及电子设备

权利要求书

1.一种像素单元，其特征在于，包括：

光电二极管及连接到所述光电二极管的传输晶体管，所述传输晶体管以一角度倾斜设置于所述光电二极管的角部；

浮动扩散点，所述浮动扩散点靠近所述传输晶体管设置并连接至所述传输晶体管；

复位晶体管和转换增益控制晶体管，所述转换增益控制晶体管连接在所述浮动扩散点和所述复位晶体管之间；

增益控制电容，所述增益控制电容的第一极包括连接部和拓展部，所述连接部为所述复位晶体管与所述转换增益控制晶体管两者的连接点，所述拓展部由所述连接点凸伸至按列方向相邻的两个光电二极管之间。

2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述光电二极管在位于所述连接部的右上方、右下方及左上方处设有缺口，以使得所述增益控制电容的连接部形成为多边形。

3.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述连接部向上方凸伸以连接至所述复位晶体管，所述连接部向右方凸伸以连接至所述增益控制电容的拓展部。

4.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述转换增益控制晶体管的栅极呈不规则形状布置，其源极与浮动扩散点连接，其漏极与所述增益控制电容和所述复位晶体管连接。

5.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述浮动扩散点沿第一倾斜方向倾斜设置在所述光电二极管和所述第一极之间，所述转换增益控制晶体管沿第二倾斜方向倾斜设置在所述浮动扩散点和所述第一极之间，所述第一倾斜方向和所述第二倾斜方向交叉。

6.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一极沿所述行方向的长度大于所述像素单元沿所述行方向的长度的50％。

7.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述拓展部沿所述列方向的宽度大于按所述列方向相邻的两个光电二极管之间间距的40％。

8.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述拓展部与位于其列方向上两侧的光电二极管之间均设置隔离结构，所述隔离结构采用离子注入方式隔离或STI隔离。

9.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述复位晶体管位于上一行像素单元中按所述行方向相邻的两个光电二极管之间。

10.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述图像传感器还包括源极跟随晶体管和行选择晶体管；所述源极跟随晶体管连接在所述浮动扩散点和所述行选择晶体管之间，所述源极跟随晶体管和所述行选择晶体管位于本行像素单元中按所述行方向相邻的两个光电二极管之间。

11.根据权利要求10所述的像素单元，其特征在于，所述复位晶体管、所述转换增益控制晶体管、所述源极跟随晶体管和所述行选择晶体管依序设置在左右相邻的两列光电二极管之间。

12.根据权利要求11所述的像素单元，其特征在于，所述转换增益控制晶体管以一角度倾斜设置，所述复位晶体管、所述源极跟随晶体管和所述行选择晶体管同一方向布局。

13.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，自所述连接部的最左端至与其相连的拓展部的最右端的距离为所述第一极的长度，所述第一极的长度为3～3.65μm。

14.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述拓展部沿列方向的宽度为0.4～0.5μm。

15.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述拓展部与位于其列方向上两侧的光电二极管分别相距0.1～0.25μm。