[发明专利]电力控制电路、半导体装置和半导体装置的电力控制方法有效
申请号: | 201911063560.0 | 申请日: | 2019-11-04 |
公开(公告)号: | CN111399621B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 金雄来;李炳喆;李世远 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F1/3206 | 分类号: | G06F1/3206;G06F1/3296 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力 控制电路 半导体 装置 控制 方法 | ||
1.一种电力控制电路,包括:
命令解码器,其被配置为通过对芯片选择信号和命令/地址信号进行解码来产生正常掉电命令和深度睡眠命令;
电力控制信号发生电路,其被配置为根据所述芯片选择信号、所述正常掉电命令以及用于设置深度睡眠模式的所述深度睡眠命令来产生电源门控控制信号和电压控制信号;
分压电路,其具有根据所述电压控制信号而改变的分压比,并且被配置为通过以改变的分压比对内部电压进行分压来产生分压电压;
比较器,其被配置为通过将参考电压与所述分压电压进行比较来产生检测信号;
振荡器,其被配置为根据所述检测信号产生振荡信号;以及
泵,其被配置为根据所述振荡信号来产生所述内部电压。
2.根据权利要求1所述的电力控制电路,
其中,所述深度睡眠模式具有比基于所述正常掉电命令的正常掉电模式更长的掉电间隔,以及
其中,根据所述命令/地址信号的特定比特位来设置所述深度睡眠模式和所述正常掉电模式。
3.根据权利要求1所述的电力控制电路,其中,所述内部电压是用于半导体装置的刷新操作的电压。
4.根据权利要求1所述的电力控制电路,其中,当半导体装置在所述深度睡眠模式下操作时,所述分压电路根据所述电压控制信号来改变所述分压比以升高所述分压电压的电平。
5.一种半导体装置,包括:
存储区域;
刷新控制电路,其被配置为:根据刷新命令,使用内部电压来对所述存储区域执行刷新操作;
电力控制电路,其被配置为在深度睡眠模式间隔期间将所述内部电压的电平调整为第二电平,所述第二电平低于针对除所述深度睡眠模式间隔之外的操作间隔而设置的第一电平;以及
激活控制电路,其被配置为产生用于在所述深度睡眠模式间隔内控制所述存储区域的激活操作的激活控制信号。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,当所述半导体装置进入所述深度睡眠模式间隔时,所述激活控制电路将所述激活控制信号激活,并且在所述半导体装置从所述深度睡眠模式间隔退出之后,当检测到所述内部电压上升到所述第一电平时,所述激活控制电路将所述激活控制信号去激活。
7.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,在正常掉电模式间隔和所述深度睡眠模式间隔期间,所述电力控制电路将电源门控控制信号激活。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,
其中,所述深度睡眠模式具有比所述正常掉电模式更长的掉电间隔,以及
其中,根据命令/地址信号的特定比特位来设置所述深度睡眠模式和所述正常掉电模式。
9.根据权利要求7所述的半导体装置,
还包括逻辑电路块,
其中,根据所述电源门控控制信号,对所述逻辑电路块的内部逻辑门之中的一个或更多个逻辑门的供电被阻断。
10.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,所述电力控制电路包括:
命令解码器,其被配置为通过对芯片选择信号和命令/地址信号进行解码来产生正常掉电命令和深度睡眠命令;
电力控制信号发生电路,其被配置为:根据所述芯片选择信号、所述正常掉电命令以及用于设置所述深度睡眠模式的所述深度睡眠命令来产生电源门控控制信号和电压控制信号;
分压电路,其具有根据所述电压控制信号而改变的分压比,并且被配置为通过以改变的分压比对内部电压进行分压来产生分压电压;
比较器,其被配置为通过将参考电压与所述分压电压进行比较来产生检测信号;
振荡器,其被配置为根据所述检测信号来产生振荡信号;以及
泵,其被配置为根据所述振荡信号来产生所述内部电压。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中,当所述半导体装置在所述深度睡眠模式下操作时,所述分压电路根据所述电压控制信号来升高所述分压电压的电平。
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