[发明专利]一种SiO2

权利要求书

1.一种SiO₂及掺杂多晶硅叠层钝化薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)首先提供一组依次包括装载腔、加热腔、链式PECVD工艺腔、链式PVD工艺腔、冷却腔及卸载腔的线性连续传输的镀膜设备；

2)在装载腔完成硅片的装载并置于载板上并通过输送机构输送至可抽真空的加热腔进行加热，然后进入到链式PECVD工艺腔；

3)在链式PECVD工艺腔内，采用线性离子源并采用交流射频电源产生等离子，用SiH₄与O₂或者SiH₄与N₂O作为特气，通过等离子激发生成SiO ₂薄膜；

4)输送机构将表面生成SiO ₂薄膜的硅片输送至链式PVD工艺腔内，预设不同掺杂浓度的靶材组合经离子溅射在硅片上形成不同掺杂浓度或梯度掺杂的a-Si薄膜，镀膜工艺完成，从卸载腔出腔体；

5)镀膜后的硅片经高温退火后转换成掺杂多晶硅和氧化硅的叠层。

2.根据权利要求1所述的一种SiO₂及掺杂多晶硅叠层钝化薄膜的制备方法，其特征在于，PVD工艺腔内的靶材是硅和掺杂元素的混合材料靶，掺杂元素为磷或硼，掺杂元素和硅的比例为1/1000-2/100。

3.根据权利要求1所述的一种SiO₂及掺杂多晶硅叠层钝化薄膜的制备方法，其特征在于，PVD工艺腔内通氩气的同时，还通入适量氧气以调节多晶硅薄膜的透光性。

4.根据权利要求1所述的一种SiO₂及掺杂多晶硅叠层钝化薄膜的制备方法，其特征在于，链式PECVD工艺腔与链式PVD工艺腔之间还设置有隔离腔，以防止链式PECVD工艺腔与链式PVD工艺腔的反应气氛相互污染。

5.根据权利要求1所述的一种SiO₂及掺杂多晶硅叠层钝化薄膜的制备方法，其特征在于，载板线性连续传输并经过镀膜设备的各腔体时，各腔体内均设置有加热装置以控制载板上硅片的温度在200-400℃。

6.一种太阳能电池，其特征在于，基于权利要求1-5任一项所述的一种SiO₂及掺杂多晶硅叠层钝化薄膜的制备方法制备而成。

7.根据权利要求6所述的一种太阳能电池，其特征在于，为Topcon、POLO、IBC、PERC电池中的任一种。