[发明专利]一种薄层SiO2

权利要求书

1.一种薄层SiO₂钝化膜的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

1)首先提供一种链式连续镀膜的等离子激发的沉积镀膜设备；

2)通过连续输送机构将载有硅片(40)的载板连续输送至链式PECVD设备的工艺腔体(10)内实现镀膜；

3)在工艺腔体(10)内，SiH₄和O₂分别从不同区域出气，通过等离子源(20)的电极板出气孔出0₂，同时从等离子源(20)的电极板侧面的分气块(30)出SiH₄，SiH₄和O₂两种气体通过不同管路进入到工艺腔体(10)的不同区域流出，在1-20Pa的真空下相遇混合并在连续输送的硅片(40)表面形成SiO₂钝化膜；其中，O₂直接进入到腔体后在射频能量下由等离子体优先将O₂分解成活性氧离子，活性氧离子往下输运到硅片(40)表面时与从分气块(30)出来的SiH₄相遇，这时活性氧离子迅速将SiH₄氧化并在硅片(40)表面生成Si0₂薄膜,反应方程式为：SiH₄+2O₂→SiO₂+2H₂O。

2.根据权利要求1所述的一种薄层SiO₂钝化膜的制备方法，其特征在于，硅片(40)在输送进入链式PECVD设备工艺腔体(10)内之前进行预热，且在工艺腔内设置加热板对硅片(40)在线连续加热，使硅片(40)在经过工艺腔体(10)的过程中保持温度在200-400℃之间，以进一步提高SiO₂钝化膜的膜层质量。

3.一种太阳能电池，其特征在于，基于权利要求1或2所述的一种薄层SiO2钝化膜的制备方法制备而成。

4.根据权利要求3所述的一种太阳能电池，其特征在于，为Topcon、POLO、IBC、PERC电池中的任一种。