[发明专利]一种结构明确的热诱导延迟荧光共轭聚合物及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种结构明确的热诱导延迟荧光共轭聚合物的制备方法，包括：

将具有式(II)结构的单体和式(III)结构的单体共聚，得到式(I)所示结构的聚合物；

其中，R₁、R₂独立地选自C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基或C6～C35的取代芳基；

A为含有吸电子基团的C5～C50芳基；所述A中含有的吸电子基团为氰基、醛基、羰基、酯基、酰氨基、砜基和杂芳基中的一种或几种；所述杂芳基中的杂原子为氮、氧、硫和硼中的一种或几种；

x为x≥2的正整数；

n为1～200。

2.一种结构明确的热诱导延迟荧光共轭聚合物的制备方法，包括：

将具有式(II)结构的单体和式(IV)结构的单体共聚，得到式(I-a)所示结构的聚合物；

其中，R₁、R₂独立地选自C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基或C6～C35的取代芳基；

A为含有吸电子基团的C5～C50芳基；所述A中含有的吸电子基团为氰基、醛基、羰基、酯基、酰氨基、砜基和杂芳基中的一种或几种；所述杂芳基中的杂原子为氮、氧、硫和硼中的一种或几种；

x为x≥2的正整数；

n为1～200。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述R₁为C6～C20的烷基、C6～C20的烷氧基或C8～C20的取代芳基，

所述取代芳基上的取代基为C1～C12的烷基和C1～C12的烷氧基中的一种或两种。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述R₂为C1～C25的烷基、C1～C25的烷氧基或C8～C20的取代芳基，

所述取代芳基上的取代基为C1～C12的烷基和C1～C12的烷氧基中的一种或两种。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述A为式(I-1-a)，式(I-1-b1)，式(I-1-b2)，式(I-1-b3)，式(I-1-c1)，式(I-1-d)，式(I-1-e)，式(I-1-f)，式(I-1-g1)，式(I-1-g2)，式(I-1-h1)，式(I-1-h2)，式(I-1-h3)，式(I-1-h4)，式(I-1-i)，式(I-1-j)，式(I-1-j2)，式(I-1-j3)，式(I-1-j4)，式(I-1-j5)，式(I-1-k1)，式(I-1-k2)，式(I-1-l)，式(I-1-m1)，式(I-1-m2)，式(I-1-n1)，式(I-1-n2)，式(I-1-o)，式(I-1-p1)，式(I-1-p2)，式(I-1-q1)，式(I-1-q2)，式(I-1-q3)，式(I-1-r)或式(I-1-s)；

其中，所述R选自氢、C1～C20的烷基、C6～C30的芳基、C7～C35的取代芳基或C4～C35的取代杂芳基。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述共轭聚合物为式(I-a)、式(I-b)、式(I-c)、式(I-d)、式(I-e)或式(I-f)，

其中，n为1～200。

7.一种结构明确的热诱导延迟荧光共轭聚合物，由权利要求1～6任意一项所述的制备方法制备得到。

8.一种半导体器件，包括权利要求1～6任意一项所述的制备方法制备得到的结构明确的热诱导延迟荧光共轭聚合物。