[发明专利]一种银氧化锡电接触材料用微米二氧化锡粉末的制备工艺在审
| 申请号： | 201911068542.1 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN110902712A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 谢斌;张秀勤;赵延飞;赵福辰;王亚辉 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 孙笑飞 |
| 地址： | 471000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 接触 材料 微米 粉末 制备 工艺 | ||
1.一种银氧化锡电接触材料用微米二氧化锡粉末的制备工艺，其特征在于：以纳米级氧化锡粉末为原料，先将其置于容器中升温至1250～1500℃，通过保温热处理使纳米级氧化锡粉末颗粒聚集结合；热处理后的原料冷却后送入气流粉碎分级设备中，使原料颗粒在压力气流带动下相互碰撞摩擦而粉碎，并经分级后收集，得到微米SnO2粉末。
2.如权利要求1所述的一种银氧化锡电接触材料用微米二氧化锡粉末的制备工艺，其特征在于：所述纳米级氧化锡粉末的平均粒度≤500nm，比表面积≤2m2/g，纯度≧99.90%。
3.如权利要求1所述的一种银氧化锡电接触材料用微米二氧化锡粉末的制备工艺，其特征在于：所述容器为陶瓷匣钵，其材料为SiC、Al2O3或刚玉莫来石。
4.如权利要求1所述的一种银氧化锡电接触材料用微米二氧化锡粉末的制备工艺，其特征在于：升温至1250～1500℃后，保温热处理时间为2～8h。
5.如权利要求1所述的一种银氧化锡电接触材料用微米二氧化锡粉末的制备工艺，其特征在于：所述的压力气流为超音速气流，进气压力大于0，小于等于0.8 MPa。
6.如权利要求1所述的一种银氧化锡电接触材料用微米二氧化锡粉末的制备工艺，其特征在于：粉碎后的粉末以-2～-9kpa的系统负压抽入气流粉碎分级设备的分级区，并经转速5～50Hz的分级轮分级后得到微米SnO2粉末。
7.如权利要求1所述的一种银氧化锡电接触材料用微米二氧化锡粉末的制备工艺，其特征在于：分级后收集得到的微米SnO2粉末粒度D50=1～8μm，粉末的比表面积为0.1～0.8m2/g。
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