[发明专利]中远红外波段光栅、光纤耦合多波束相干接收系统有效
申请号: | 201911068651.3 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN110768729B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 任远;史生才;张岱溪 | 申请(专利权)人: | 中国科学院紫金山天文台 |
主分类号: | H04B10/61 | 分类号: | H04B10/61 |
代理公司: | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人: | 上官凤栖 |
地址: | 210008*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 波段 光栅 光纤 耦合 波束 相干 接收 系统 | ||
1.中远红外波段光栅、光纤耦合多波束相干接收系统,其特征在于,包括:中远红外本振信号源(1)、光栅分光器(2)、多波束光纤耦合系统(3)、2×2像元中远红外超导HEB混频器(4)、多通道直流偏置电源(5)、多通道低温低噪声放大器(6)和常温中频及其匹配高分辨频谱处理单元(7);所述中远红外本振信号源(1)产生本振信号,并聚焦于光栅分光器(2)表面,所述光栅分光器(2)将入射的本振信号反射分离为2×2共四束反射本振信号,四束本振信号通过多波束光纤耦合系统(3)耦合至光纤端面,然后经由光纤传输至低温杜瓦中2×2像元中远红外超导HEB混频器(4)的一侧,实现本振信号的分配与耦合;探测信号与本振信号由2×2像元中远红外超导HEB混频器(4)进行混频,产生四路中频信号,四路中频信号先经过多通道低温低噪声放大器(6)进行放大,再通过常温中频及其匹配高分辨频谱处理单元(7)进行高分辨频谱处理;所述多通道直流偏置电源(5)与2×2像元中远红外超导HEB混频器(4)相连,用于向2×2像元中远红外超导HEB混频器(4)提供直流偏置;
所述2×2像元中远红外超导HEB混频器(4)和多通道低温低噪声放大器(6)位于4K闭环制冷系统(8)中;
所述中远红外本振信号源(1)包括量子级联激光器(21)和离轴抛物面反射镜(22),所述量子级联激光器(21)产生本振信号,经过离轴抛物面反射镜(22)反射聚焦于光栅分光器(2)表面;
所述光栅分光器(2)采用阶梯光栅(23),本振信号经过离轴抛物面反射镜(22)反射聚焦于阶梯光栅(23)表面,所述阶梯光栅(23)通过调控反射信号的波前相位,将入射的本振信号反射分离为2×2共四束反射本振信号;
所述多波束光纤耦合系统(3)包括光纤耦合器(24)和中远红外光纤(25),四束反射本振信号通过由抛物面反射镜构成的光纤耦合器(24)将各束反射信号耦合至中远红外光纤(25)端面;
所述2×2像元中远红外超导HEB混频器(4)为由四个中远红外超导HEB探测器构成的四像元超导HEB混频器阵列(26),2×2像元中远红外超导HEB混频器(4)包括超半球透镜(31)和中远红外超导HEB混频器芯片(32),探测信号由超半球透镜(31)耦合至中远红外超导HEB混频器芯片(32),本振信号由中远红外光纤(25)端面经自由空间耦合至中远红外超导HEB混频器芯片(32),中远红外光纤(25)端面与中远红外超导HEB混频器芯片(32)距离小于1mm。
2.如权利要求1所述的中远红外波段光栅、光纤耦合多波束相干接收系统,其特征在于:所述阶梯光栅(23)利用Si基板进行多层深硅刻蚀,并以蒸镀金涂层作为反射式多波束阶梯光栅。
3.如权利要求1所述的中远红外波段光栅、光纤耦合多波束相干接收系统,其特征在于:所述中远红外光纤(25)采用可工作在4 k温区的多晶光纤。
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