[发明专利]一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置

说明书

本发明提供了内存条技术领域的一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置，包括一电源管理电路以及一外围供电电路；所述电源管理电路与外围供电电路连接；所述电源管理电路包括一电源管理芯片U27、一电阻R104、一电阻R469、一电阻R491、一电阻R494、一电阻R495、一电阻R109、一电容C399、一电容C389以及一电容C400；所述外围供电电路包括一电阻R103、一电阻R105、一电阻R86、一电阻R119、一电阻R52、一电阻R101、一电容C240、一电容C246、一MOS管Q21、一MOS管Q17、一MOS管Q25以及一二极管D15。本发明的优点在于：实现自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条。

技术领域

本发明涉及内存条技术领域，特别指一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置。

背景技术

目前笔记本的内存条主要采用DDR4颗粒来生产，极少采用LPDDR4颗粒来生产内存条，LPDDR4颗粒由于功耗低、体积小，主要采用贴片的工艺应用于主板上。由于DDR4颗粒和LPDDR4颗粒的物料价格是随市场行情波动的，经常存在相同容量的DDR4颗粒和LPDDR4颗粒的价格不同，因此产生了使用成本更低的颗粒来生成内存条的需求。

但是，LPDDR4内存条和DDR4内存条的供电需求不同，LPDDR4内存条的VDDQ引脚需要1.1V电压，VPP引脚需要1.8V电压，DDR4内存条的VDDQ引脚需要1.2V电压，VPP引脚需要2.5V电压；传统的主板内存槽并不能自适应匹配两种内存条。因此，如何提供一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置，实现自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条，成为一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置，实现自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条。

本发明是这样实现的：一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置，包括一电源管理电路以及一外围供电电路；所述电源管理电路与外围供电电路连接；

所述电源管理电路包括一电源管理芯片U27、一电阻R104、一电阻R469、一电阻R491、一电阻R494、一电阻R495、一电阻R109、一电容C399、一电容C389以及一电容C400；

所述电阻R104的一端与LPDDR4内存条或者DDR4内存条连接，另一端与所述电阻R469以及电源管理芯片U27的引脚23连接；所述电阻R469接地；所述电容C389的一端与电阻R491以及外围供电电路连接，另一端接地；所述电阻R491与电源管理芯片U27的引脚20连接；所述电阻R494的一端与电容C399以及LPDDR4内存条或者DDR4内存条连接，另一端与所述电源管理芯片U27的引脚19连接；所述电容C399接地；所述电阻R495的一端与电阻R109以及电容C400连接，另一端与所述电源管理芯片U27的引脚4连接；所述电容C400接地；所述电阻R109与LPDDR4内存条或者DDR4内存条连接；

所述外围供电电路包括一电阻R103、一电阻R105、一电阻R86、一电阻R119、一电阻R52、一电阻R101、一电容C240、一电容C246、一MOS管Q21、一MOS管Q17、一MOS管Q25以及一二极管D15；

所述MOS管Q21的S极接地，G极与所述电阻R86、电阻R103、电阻R105、电阻R119、电容C240以及MOS管Q25的G极连接，D极与所述电阻R52、电阻R101、电容C246以及MOS管Q17的G极连接；所述二极管D15的输入端与MOS管Q17的S极连接，输出端与MOS管Q25的S极以及电阻R491连接；所述电阻R119、电容C240、电阻R101以及电容C246均接地；所述电阻R105与LPDDR4内存条或者DDR4内存条连接。

进一步地，所述电源管理芯片U27的型号为RT5077A。