[发明专利]用于初始化非易失性存储器设备中的通道的设备和方法

说明书

一种用于初始化包括存储器块的非易失性存储器设备中的通道的方法，该存储器块包括多条字线和多条串选择线，该方法包括向多条串选择线施加电压；将穿过块的位线转换成浮动状态；以及释放位线的浮动状态。

相关申请的交叉引用

本非临时专利申请要求2018年11月12日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0137949号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及用于初始化存储器设备中的通道的设备和方法，并且更具体地，涉及能够降低功耗的用于初始化非易失性存储器设备中的通道的设备和方法。

背景技术

相关技术的讨论

NAND闪存是不需要电源来保存(retain)数据的一种非易失性存储器。3D NAND闪存由堆叠在彼此顶部上的多层NAND闪存组成。与布置成平面结构的NAND闪存相比，这种3DNAND闪存在集成度、存储容量、速度、耐用性和功耗方面具有显著提高的性能。

每一层包括串和串选择线，其中每个串包括连接在串选择晶体管和接地选择晶体管之间的存储器单元。存储器单元可以被组织成行和列的阵列，其中字线连接行，位线连接列。

当在非易失性存储器设备中执行读取或写入验证操作时，当选择的和未选择的串选择线被初始化时，由于字线中存在的寄生电容的影响，功率可能被不必要地消耗。

发明内容

本发明构思的至少一个示例性实施例提供了一种用于初始化非易失性存储器设备中的通道的设备和方法，能够通过在读取操作或写入验证操作中在初始化选择的和未选择的串选择线时控制位线来降低功耗。

根据本发明构思的示例性实施例，一种用于初始化具有包括多条字线和多条串选择线的存储器块的非易失性存储器设备中的通道的方法，包括：向多条串选择线施加电压；将穿过存储器块的位线转换成浮动状态；以及释放位线的浮动状态。

根据本发明构思的示例性实施例，一种用于初始化具有包括多条字线和多条串选择线的存储器块的非易失性存储器设备中的通道的方法，包括：将穿过存储器块的位线转换成浮动状态；向多条串选择线施加电压；以及释放位线的浮动状态。

根据本发明构思的示例性实施例，一种用于初始化具有包括多条字线和多条串选择线的存储器块的非易失性存储器设备中的通道的设备，包括：电压生成器，其向多条串选择线施加电压；第一电路，其将穿过存储器块的位线转换成浮动状态；和第二电路，其释放位线的浮动状态。

附图说明

结合附图，从下面的详细描述中将更清楚地理解本发明构思，其中：

图1是示出通过导通块中的所有串选择线，用从位线施加的电压初始化选择的/未选择串的通道的情况的示意图；

图2是示出在图1的操作中出现在块中的每个元件中的电压的示例性变化的曲线图；

图3是示出通过断开块中未选择的串选择线来初始化的情况的示意图；

图4是示出在图1的操作中可能出现的示例性软擦除现象的示意图；

图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的用于初始化非易失性存储器设备中的通道的方法的流程图；

图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的用于初始化非易失性存储器设备中的通道的方法的流程图；

图7是示出根据基于本发明构思的示例性实施例的用于初始化非易失性存储器设备中的通道的方法，在块中的每个元件中出现的电压的变化的曲线图；

图8是示出根据基于本发明构思的示例性实施例的用于初始化非易失性存储器设备中的通道的方法，在块中的每个元件中出现的电压的变化的曲线图；