[发明专利]氧化物半导体薄膜检测装置及氧化物半导体薄膜检测方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体薄膜检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

设定用于检测氧化物半导体薄膜的测量用电阻；

以使经过所述测量用电阻的电压施加于所述氧化物半导体薄膜的方式，施加外加电压；

在将所述外加电压从预设的初始值改变为预设的最大值的过程中，判断是否获得了所述氧化物半导体薄膜的薄膜电压；

在获得了所述薄膜电压的情况下，提取在获得所述薄膜电压时被施加于所述测量用电阻的电阻电压；

利用所提取的电阻电压与在获得所述薄膜电压时的测量用电阻，算出薄膜电流，并利用算出的薄膜电流和所述薄膜电压，算出所述氧化物半导体薄膜的薄膜电阻；

检测未形成有所述氧化物半导体薄膜的基板，以获得所述基板的基板检测值；以及

从薄膜检测值中减去所述基板检测值以获得对所述薄膜检测值的补正检测值，其中，所述薄膜检测值是通过设定所述测量用电阻的步骤、施加所述外加电压的步骤、判断是否获得了所述薄膜电阻的步骤、提取所述电阻电压的步骤以及算出所述薄膜电阻的步骤而获得的，

获得所述基板检测值的步骤包括如下步骤：

设定用于检测所述基板的检测电阻；

以使经过所述检测电阻的电压施加于所述基板的方式，施加检测电压；

在将所述检测电压从预设的初始检测值改变为预设的最大检测值的过程中，判断是否获得了所述基板的基板电压；

在获得了所述基板电压的情况下，提取在获得所述基板电压时被施加于所述检测电阻的检测电阻电压；

利用所提取的检测电阻电压与在获得所述基板电压时的检测电阻，算出基板电流，并利用算出的基板电流和所述基板电压，算出所述基板的基板电阻；以及

在未获得所述基板电压的情况下，改变所述检测电阻后，重复执行设定所述检测电阻的步骤、施加所述检测电压的步骤以及判断是否获得了所述基板电压的步骤，直至获得所述基板电压。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜检测方法，其特征在于，

在未获得所述薄膜电压的情况下，改变所述测量用电阻后，再执行如下步骤：

设定所述测量用电阻；

施加所述外加电压；以及

判断是否获得了所述薄膜电压。

3.根据权利要求2所述的氧化物半导体薄膜检测方法，其特征在于，

在改变所述测量用电阻的同时，重复执行再执行步骤，直至获得所述薄膜电压。

4.根据权利要求2所述的氧化物半导体薄膜检测方法，其特征在于，

在施加所述外加电压的步骤中，当执行再执行步骤时，提取对应于经改变的测量用电阻的所述初始值与所述最大值后，使外加电压在所提取的所述初始值与所述最大值之间变化。

5.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

在获得了所述薄膜电压的情况下，提取在获得所述薄膜电压时的外加电压并设定为基准电压。

6.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

利用所述基准电压，生成正电压与负电压交替重复的波形的基准电压；

将所述波形的基准电压施加到所述氧化物半导体薄膜，并获得所述氧化物半导体薄膜的波形的薄膜电压；以及

利用所述波形的薄膜电压中与正电压对应的第一面积值及所述波形的薄膜电压中与负电压对应的第二面积值，算出所述氧化物半导体薄膜的水平值，

其中，在算出所述氧化物半导体薄膜的水平值的步骤中，通过从所述第一面积值减去所述第二面积值的运算来算出所述水平值，所述水平值用于表示所述氧化物半导体薄膜中的与P型半导体相关的成分值以及与N型半导体相关的成分值中，哪个成分值更多。