[发明专利]无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜、其制备方法及其应用

权利要求书

1.一种无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，所述无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜掺杂有多苯环芳香胺类化合物，多苯环芳香胺类化合物具有如式（I）所示结构：

(I)

其中，n≥1，取整数；R为I、Br、Cl中的一种；

其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

步骤1：将锡基源化合物，有机无机源卤化物和多苯环芳香胺类化合物事先溶于混合极性溶剂中，同时加入氟化亚锡作为抗氧化剂，持续搅拌配制前驱体溶液；

上述锡基源化合物为卤化亚锡，有机无机源卤化物为甲脒氢碘酸盐；

制备前驱体溶液的原料用量要求为：锡基源卤化物、有机无机源卤化物、多苯环芳香胺化合物以及氟化亚锡抗氧化剂的摩尔比为1：（1-x）：x：0.1，其中0＜x≤1；

步骤2：在已经旋涂了空穴传输层的ITO玻璃基底上，进行上述前驱体溶液旋涂，旋涂结束后，在100℃下退火10分钟，得到无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中混合极性溶剂为DMF和DMSO按照4:1的体积比制得。

3.一种如权利要求1所述制备方法制得的无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜的应用，其特征在于，使用无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜制备无铅的太阳能电池，所述太阳能电池包括ITO电极，空穴传输层，无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜，电子传输层，空穴阻挡层以及金属电极的倒置结构。

4.一种如权利要求3所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a：紫外臭氧处理清洁的ITO玻璃基板后，在其上制备PEDOT:PSS层；

步骤b：在PEDOT:PSS层上制备权利要求1所述的无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜；

步骤c：将上述步骤b制备得到的基板放进真空蒸镀仓，依次蒸镀C60电子传输层，BCP空穴阻挡层以及Ag金属电极，得到太阳能电池。