[发明专利]多晶硅膜的形成方法和成膜装置

说明书

本发明涉及多晶硅膜的形成方法和成膜装置。[课题]提供能扩大多晶硅膜的晶粒大小的技术。[解决方案]本公开的一方式的多晶硅膜的形成方法具备如下工序：在基板上形成非晶硅膜的工序；在前述非晶硅膜上形成由非晶锗膜或非晶硅锗膜形成的覆盖层的工序；对前述基板在第1温度下进行热处理，在前述非晶硅膜中形成硅的晶核的工序；在形成前述晶核后，将前述覆盖层去除的工序；和，对去除了前述覆盖层的前述基板在前述第1温度以上的第2温度下进行热处理，使前述晶核生长的工序。

技术领域

本公开涉及多晶硅膜的形成方法和成膜装置。

背景技术

已知有如下技术：在晶体生长慢的第1非晶硅膜上层叠晶体生长快于第1非晶硅膜的第2非晶硅膜，进行结晶处理，从而形成大粒径的多晶硅膜(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-115435号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供能扩大多晶硅膜的晶粒大小的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一方式的多晶硅膜的形成方法具备如下工序：在基板上形成非晶硅膜的工序；在前述非晶硅膜上形成由非晶锗膜或非晶硅锗膜形成的覆盖层的工序；对前述基板在第1温度下进行热处理，在前述非晶硅膜中形成硅的晶核的工序；在形成前述晶核后，将前述覆盖层去除的工序；和，对去除了前述覆盖层的前述基板在前述第1温度以上的第2温度下进行热处理，使前述晶核生长的工序。

发明的效果

根据本公开，能扩大多晶硅膜的晶粒大小。

附图说明

图1为示出多晶硅膜的形成方法的一例的工序剖视图

图2为示出立式热处理装置的构成例的纵剖视图

图3为用于说明图2的立式热处理装置的反应管的图

图4为示出实施例1的试样的晶体状态的一例的图(1)

图5为示出实施例1的试样的晶体状态的一例的图(2)

图6为示出实施例2的试样的晶体状态的一例的图

附图标记说明

1 立式热处理装置

34 反应管

40 气体供给单元

41 排气单元

42 加热单元

95 控制单元

具体实施方式

以下，边参照附图边对本公开的非限定性的示例的实施方式进行说明。全部附图中，对同一或对应的构件或部件，标注同一或对应的附图标记，省略重复的说明。

(多晶硅膜的形成方法)

对一实施方式的多晶硅膜的形成方法进行说明。图1为示出多晶硅膜的形成方法的一例的工序剖视图。

首先，准备在表面形成有绝缘膜102的基板101(参照图1的(a))。基板101例如可以为硅基板等半导体基板。绝缘膜102例如可以为硅氧化膜(SiO2膜)、硅氮化膜(SiN膜)。