[发明专利]一种超表面硅基液晶复合空间光调制器有效
申请号: | 201911071777.6 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN111221197B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 陶金;郑国兴;李子乐;刘子晨;尤全;邱英;肖希;余少华 | 申请(专利权)人: | 武汉邮电科学研究院有限公司 |
主分类号: | G02F1/29 | 分类号: | G02F1/29;G02F1/13;G02F1/139;G02B5/30 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 董婕;侯宁 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 液晶 复合 空间 调制器 | ||
1.一种超表面硅基液晶复合空间光调制器,其特征在于,包括:
硅基液晶空间光调制器(1),其用于在接收入射光波后,将其反射的光波偏转一定的角度后进行输出,以完成第一次相位调制;
超表面微纳芯片(2),其用于接收所述硅基液晶空间光调制器(1)输出的光波,并将接收到的光波按照预设的位相梯度进行透射,以完成第二次相位调制;
所述超表面微纳芯片(2)包括:
介质衬底(21);
若干超表面微纳共振单元(22),其设于所述介质衬底(21)靠近所述硅基液晶空间光调制器(1)的一侧,且所有所述超表面微纳共振单元(22)按照预设的位相梯度进行设计,通过超表面微纳共振单元(22)的位相梯度的设计,可以对透射光波的角度进行调控。
2.如权利要求1 所述的超表面硅基液晶复合空间光调制器,其特征在于,所述超表面微纳共振单元(22)为纳米砖结构。
3.如权利要求2所述的超表面硅基液晶复合空间光调制器,其特征在于:所有所述超表面微纳共振单元(22)周期性阵列分布。
4.如权利要求1所述的超表面硅基液晶复合空间光调制器,其特征在于:所述硅基液晶空间光调制器(1)的反射面和所述超表面微纳芯片(2)的透射面呈一定夹角。
5.如权利要求1所述的超表面硅基液晶复合空间光调制器,其特征在于:第一次相位调制的偏转角度为Δθ1,第二次相位调制的偏转角度为Δθ2,Δθ1Δθ2。
6.如权利要求1所述的超表面硅基液晶复合空间光调制器,其特征在于:至少部分所述超表面微纳共振单元(22)的尺寸不同。
7.如权利要求1所述的超表面硅基液晶复合空间光调制器,其特征在于:所述硅基液晶空间光调制器(1)包括装有驱动像素电路的硅基板、带透明电机的玻璃基板和夹于所述硅基板和玻璃基板之间的液晶层。
8.如权利要求7所述的超表面硅基液晶复合空间光调制器,其特征在于:所述液晶层包括若干液晶像素单元。
9.如权利要求8所述的超表面硅基液晶复合空间光调制器,其特征在于:所有所述液晶像素单元阵列分布。
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