[发明专利]用于数据结构的专用读取电压有效
申请号: | 201911072543.3 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN111145819B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | M·斯福尔津;M·罗布斯泰利;I·托尔托雷利;M·阿莱格拉;P·阿马托 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/34;G11C7/04;G11C29/42;G06F11/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 数据结构 专用 读取 电压 | ||
1.一种用于读取数据的方法,其包括:
以专用于设备的第一受管理单元的第一读取电压且基于所述设备的温度而读取所述第一受管理单元;
以专用于所述设备的第二受管理单元且基于所述设备的所述温度的第二读取电压读取所述第二受管理单元,所述第二受管理单元存储数量比所述第一受管理单元大的数据;
响应于在以所述第一读取电压读取所述第一受管理单元时的错误数量大于或等于第一阈值数量而以基于所述设备的所述温度的第三读取电压读取所述第一受管理单元;及
响应于在以所述第二读取电压读取所述第二受管理单元时的错误数量大于或等于第二阈值数量而以所述第三读取电压读取所述第二受管理单元。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一读取电压基于在第一时间处定义的第一参考电压,且所述第二读取电压基于在大于所述第一时间的第二时间处定义的第二参考电压。
3.根据权利要求2所述的方法,其中
所述第一时间对应于从所述第一受管理单元被写入直到所述第一受管理单元在被写入之后首次被读取的经过时间;且
所述第二时间对应于从所述第二受管理单元被清除直到所述第二受管理单元在被清除之后首次被写入的经过时间。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述第三读取电压基于在对应于所述设备的寿命的第三时间处定义的第三参考电压。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述第二参考电压大于所述第一参考电压,且所述第一参考电压大于所述第三参考电压。
6.根据权利要求2所述的方法,其中
所述第一参考电压对应于所述第一受管理单元的设定-复位循环数量,且所述第二参考电压对应于所述第二受管理单元的设定-复位循环数量,所述第二受管理单元的所述设定-复位循环数量比所述第一受管理单元的所述设定-复位循环数量小。
7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
基于电压随温度的第一改变速率而产生所述第一读取电压及所述第二读取电压;及
基于比电压随温度的所述第一改变速率小的电压随温度的第二改变速率而产生所述第三读取电压。
8.根据权利要求7所述的方法,其中电压随温度的所述第一改变速率及所述第二改变速率包括所述电压随温度升高而减小。
9.根据权利要求7所述的方法,其中
电压随温度的所述第一改变速率对应于在复位阈值电压分布的下边缘处的阈值电压随温度的改变速率;且
电压随温度的所述第二改变速率对应于在设定阈值电压分布的上边缘处的阈值电压随温度的改变速率。
10.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括借助错误校正码确定在读取所述第一受管理单元时的所述错误数量及在读取所述第二受管理单元时的所述错误数量。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述第三读取电压大于所述第二读取电压且所述第二读取电压大于所述第一读取电压。
12.一种用于读取数据的设备,其包括:
存储器单元的阵列;及
控制器,其经配置以:
以基于所述阵列的存储器单元的第一群组的漂移特性且基于所述设备的温度的第一读取电压读取所述第一群组,且;
以基于所述阵列的存储器单元的第二群组的漂移特性且基于所述设备的所述温度的第二读取电压读取所述第二群组,其中所述第二群组包括数量比所述第一群组大的存储器单元;
响应于确定所述第一读取电压不再有效而以基于所述设备的所述温度的第三读取电压读取所述第一群组;及
响应于确定所述第二读取电压不再有效而以所述第三读取电压读取所述第二群组,
其中第一受管理单元和第二受管理单元分别存储于所述第一群组和所述第二群组中。
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