[发明专利]一种刻蚀方法、空气隙型介电层及动态随机存取存储器

权利要求书

1.一种刻蚀方法，用于在形成于晶圆表面上间隔分布的氮化硅膜区和氧化硅膜区之间选择性地蚀刻所述氧化硅膜区，其特征在于，包括：

表面去除步骤：以第一刻蚀速率刻蚀所述氧化硅膜区，并清除覆于所述氮化硅膜区表面上的表面变性层；以及

刻蚀步骤：以第二刻蚀速率选择性地刻蚀所述氧化硅膜区，

其中，所述第一刻蚀速率小于所述第二刻蚀速率；

所述表面去除步骤包括：

第一刻蚀步：在第一预定压力下以及第一刻蚀时长内，以刻蚀气体刻蚀所述晶圆表面，以及

第一吹扫步：保持所述第一预定压力，在第一吹扫时长内，以吹扫气体吹扫所述晶圆，并且

重复循环所述第一刻蚀步和所述第一吹扫步，直至清除所述表面变性层为止。

2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述刻蚀步骤包括：

第二刻蚀步：在第二预定压力下以及第二刻蚀时长内，以刻蚀气体选择性地刻蚀所述氧化硅膜区，以及

第二吹扫步：保持所述第二预定压力，在所述第二刻蚀步后，在第二吹扫时长内，以所述吹扫气体吹扫所述晶圆，并且

重复循环所述第二刻蚀步和第二吹扫步，直至达到所述氧化硅膜区的目标刻蚀量。

3.如权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一预定压力小于所述第二预定压力。

4.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一预定压力范围为1～3Torr；所述第二预定压力范围为5～10Torr。

5.如权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述第一刻蚀时长小于所述第二刻蚀时长。

6.如权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述第一刻蚀时长范围为1～3s；

所述第二刻蚀时长范围为1～5s。

7.如权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述刻蚀气体包括第一组分气体和第二组分气体，其中，所述第一组分气体为氟化氢气体，所述第二组分气体为氨气。

8.如权利要求7所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二吹扫步，还包括，保持所述第二预定压力，在第二吹扫时长内，以所述第二组分气体吹扫所述晶圆。

9.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述吹扫气体包含惰性气体中的至少一种。

10.如权利要求9所述的刻蚀方法，其特征在于，

在所述表面去除步骤中，所述第一组分气体以第一流量供应；

在所述刻蚀步骤中，所述第一组分气体以第二流量供应；

其中，所述第一流量大于所述第二流量。

11.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，

所述表面去除步骤和所述刻蚀步骤的工艺温度均不小于120℃。

12.如权利要求1-11任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述表面去除步骤和所述刻蚀步骤之间还包括，对所述晶圆进行加热升华处理，并在所述升华处理之后冷却至室温。

13.如权利要求12所述的刻蚀方法，其特征在于，所述升华处理的温度大于等于180℃。

14.如权利要求13所述的刻蚀方法，其特征在于，

在所述刻蚀步骤之前还包括，将升华冷却后的所述晶圆取出并静置一定时间。

15.如权利要求1-11任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，

在所述表面去除步骤之前，还包括，检测所述晶圆表面上的表面变性层厚度，以基于所述表面变性层厚度确定所述第一刻蚀步和所述第一吹扫步的循环次数。