[发明专利]基于8-羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器

权利要求书

1.一种基于8-羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器，由阳极层、有机半导体层、银纳米颗粒层、阴极层组成，其特征在于：阳极层为铟锡氧化物ITO，银纳米颗粒层和阴极层构成金属复合电极层，有机半导体层与金属复合电极层构成肖特基结，有机半导体层为厚度50纳米 ±0.5纳米的8-羟基喹啉铝Alq₃，银纳米颗粒层为5±0.03纳米的银Ag纳米颗粒。

2.制作基于8-羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器的方法，其特征在于按照如下的步骤进行：

步骤一、将氧化铟锡导电玻璃进行搓洗，并用去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇分别在超声条件下清洗，然后装入蒸镀炉，当压强降到0.0005帕以下时开始蒸镀；

步骤二、氧化铟锡导电玻璃在旋转条件下，以 0.2 纳米/秒的速率蒸镀 50±0.5纳米厚的有机半导体Alq₃层，接着以 0.02 纳米/秒的低速率蒸镀 5±0.03纳米的银纳米颗粒，最后以0.4纳米/秒的速率蒸镀10±0.05纳米厚的Al阴极。

3.根据权利要求2所述的制作一种基于8-羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器的方法，其特征在于：步骤二中，低速率蒸镀Ag，以形成纳米颗粒，随后，需保形蒸镀Al电极。