[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201911073468.2 | 申请日: | 2019-08-07 |
公开(公告)号: | CN110828503B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 吴世熙;姜珉佑;金钟奎;金贤儿 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62;H01L33/46 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,包括:
第一发光单元,配置到基板的第一区域,包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层;
第二发光单元,配置到所述基板的第二区域,与所述第一发光单元相隔,包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层;
第一导电图案,配置在所述第一区域;
连接图案,包括与所述第一发光单元的所述第二导电型半导体层电连接的接触部以及与所述第二发光单元的所述第一导电型半导体层电连接的接触部;以及
彼此隔开的第一电极垫,配置到所述第一区域而电连接到所述第一导电图案;且
所述第一发光单元分别分离成共享所述第一导电型半导体层的多个发光单元,
所述第一导电图案包括与露出在所述第一发光单元的所述多个发光单元之间的所述第一导电型半导体层接触的接触部,
所述第一导电图案包括凹陷部,
所述连接图案包括配置在所述第一导电图案的所述凹陷部内的凸出部,
所述第一导电图案的所述接触部在所述连接图案的所述凸出部之间的一部分区域具有相对更广的宽度。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
露出在所述第一发光单元的所述多个发光单元之间的区域的所述第一导电型半导体层的露出区域的宽度在所述连接图案的所述凸出部之间的区域进一步扩大。
3.根据权利要求2所述的发光元件,其特征在于,
还包括配置在所述第一导电图案与所述第一发光单元之间的第一钝化膜,
所述第一钝化膜在所述第一发光单元的所述多个发光单元之间的区域使所述第一导电型半导体层露出,在所述连接图案的所述凸出部之间的区域使所述第一导电型半导体层以相对更广的宽度露出,
所述第一导电图案与通过所述第一钝化膜露出的所述第一导电型半导体层接触。
4.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,还包括:
第二导电图案,配置在所述第二区域;以及
彼此隔开的第二电极垫,配置到所述第二区域而电连接到所述第二导电图案;
所述第二发光单元分离成共享所述第一导电型半导体层的多个发光单元,
所述第二导电图案分别包括与所述第二发光单元的所述多个发光单元的所述第二导电型半导体层接触的接触部。
5.根据权利要求4所述的发光元件,其特征在于,
还包括覆盖所述第一导电图案、所述第二导电图案及所述连接图案的第二钝化膜,
所述第二钝化膜具有使所述第一导电图案及所述第二导电图案露出的开口部,
所述第一电极垫及所述第二电极垫分别通过所述开口部电连接到所述第一导电图案及所述第二导电图案。
6.根据权利要求5所述的发光元件,其特征在于,
所述第一电极垫及所述第二电极垫分别填埋所述开口部。
7.根据权利要求4所述的发光元件,其特征在于,
所述连接图案呈包覆所述第二导电图案的多个环构造。
8.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述第一电极垫分别限定地配置在分离的所述多个发光单元上。
9.根据权利要求8所述的发光元件,其特征在于,
所述第一发光单元的所述多个发光单元中的至少一个发光单元不与所述第一电极垫重叠。
10.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述第一导电图案覆盖所述第一发光单元的分离的所述多个发光单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的