[发明专利]一种ScAlN SAW谐振器的制备方法在审
| 申请号： | 201911074669.4 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110943708A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 王芳;闫硕;胡凯;张楷亮;邓盟;李开璇;邸欢欢 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/17;H03H9/25 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 刘书元 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 scaln saw 谐振器 制备 方法 | ||
1.一种ScAlN SAW谐振器的制备方法，SAW谐振器从下至上依次包括金刚石衬底、ZnO缓冲层、ScAlN压电层和Al电极层，其制备方法包括如下步骤：
步骤1：提供金刚石衬底，并对其用标准的清洗工艺进行清洗；
步骤2：在所述金刚石衬底上采用磁控溅射、化学气相沉积(CVD)或脉冲激光沉积(PLD)方法生长ZnO缓冲层；
步骤3：在所述ZnO缓冲层上采用磁控溅射、化学气相沉积(CVD)或脉冲激光沉积(PLD)方法生长ScAlN压电层；
步骤4：在所述ScAlN压电层上采用电子束蒸发生长Al电极层；
步骤5：采用电子束曝光技术在所述Al电极层表面形成图形化光刻胶掩膜；
步骤6：采用刻蚀技术在所述Al电极层表面形成叉指换能器(IDTs)；
步骤7：将刻蚀后的样品进行剥离，构建SAW谐振器，用于测试与应用。
2.根据权利要求1所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤2中，ZnO缓冲层的晶向为(002)晶向，其厚度为10-200nm，其中ZnO缓冲层的厚度≤ScAlN压电层厚度的1/5。
3.根据权利要求1或2所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤2中，制备ZnO缓冲层的方法优先选用射频(RF)磁控溅射。
4.根据权利要求1所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤3中，ScAlN压电层的晶向为(002)晶向，其厚度为0.4-1μm。
5.根据权利要求1或4所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤3中，制备ScAlN压电层的方法优先选用直流(DC)磁控溅射。
6.根据权利要求1所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤4中，Al电极层的厚度为50-200nm。
7.根据权利要求1所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤6中，叉指换能器(IDTs)结构的制备使用干法刻蚀工艺。
8.根据权利要求1或7所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法，其特征在于，在步骤6中如采用反应离子刻蚀技术，其刻蚀参数范围如下，CF4与Ar的气流量比为1:1，射频功率范围为100-200W，工作压强范围为10-40mTorr。
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