[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

设计布局；

基于所述布局形成光掩模；

校正所述光掩模的透光率；以及

使用具有校正后的透光率的光掩模来执行光刻工艺以在衬底上形成图案，

所述校正所述光掩模的透光率包括：

通过捕获穿过所述光掩模的光来创建强度图；

对所述布局进行仿真以创建虚拟强度图；以及

基于所述强度图和所述虚拟强度图来校正所述光掩模的掩模衬底的透光率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述创建虚拟强度图包括：

将所述布局分成多个栅格部；

获得所述多个栅格部中的每个栅格部的光学强度；以及

基于所述多个栅格部中的每个栅格部的光学强度创建所述虚拟强度图。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个栅格部包括：

第一栅格部；以及

第二栅格部，所述第二栅格部的图案密度大于所述第一栅格部的图案密度，并且所述第一栅格部的光学强度大于所述第二栅格部的光学强度。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述强度图包括多个图像像素；

所述创建虚拟强度图包括生成分别对应于所述多个图像像素的多个虚拟像素；并且

所述多个虚拟像素中的每个虚拟像素是通过对所述多个栅格部的光学强度求平均来生成的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述创建强度图包括：

将光照射至所述光掩模；以及

使用图像捕获单元来捕获穿过所述光掩模的光，所述图像捕获单元包括电荷耦合器件CCD相机。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述强度图包括多个图像像素；

所述虚拟强度图包括分别对应于所述多个图像像素的多个虚拟像素；并且

所述基于所述强度图和所述虚拟强度图来校正所述光掩模的掩模衬底的透光率包括：将所述多个图像像素与分别对应的多个虚拟像素进行比较。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校正所述光掩模的掩模衬底的透光率包括：将激光照射至所述掩模衬底。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

设计布局；

基于所述布局形成光掩模；

校正所述光掩模的透光率；以及

使用具有校正后的透光率的光掩模来执行光刻工艺以在衬底上形成图案，

所述校正所述光掩模的透光率包括：

将所述布局分成多个栅格部；

获得所述多个栅格部中的每个栅格部的光学强度；以及

基于所述多个栅格部中的每个栅格部的光学强度创建虚拟强度图。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述校正所述光掩模的透光率还包括：通过捕获穿过所述光掩模的光来创建强度图。

10.根据权利要求9所述的方法，其中

所述强度图包括多个图像像素；

所述创建虚拟强度图包括生成分别对应于所述多个图像像素的多个虚拟像素；并且

所述多个虚拟像素中的每个虚拟像素是通过对所述多个栅格部的光学强度求平均来生成的。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述创建强度图包括：

将光照射至所述光掩模；以及

使用图像捕获单元来捕获穿过所述光掩模的光，所述图像捕获单元包括电荷耦合器件CCD相机。

12.根据权利要求9所述的方法，其中

所述强度图包括多个图像像素；

所述虚拟强度图包括分别对应于所述多个图像像素的多个虚拟像素；并且

所述校正所述光掩模的透光率还包括将所述多个图像像素与分别对应的多个虚拟像素进行比较。