[发明专利]具有温度补偿的偏置电路、放大装置以及放大设备

权利要求书

1.一种偏置电路，包括：

电流产生电路，被配置为基于参考电流产生内部基极电流；

偏置输出电路，被配置为基于所述内部基极电流产生基极偏置电流并且将所述基极偏置电流输出到放大电路；以及

温度补偿电路，被配置为基于反映周围温度改变的温度电压来调节所述基极偏置电流。

2.根据权利要求1所述的偏置电路，其中，所述电流产生电路包括：

第一电阻器，具有连接到所述参考电流的端子的第一端；

第一二极管和第二二极管，彼此串联连接在所述第一电阻器的第二端与第二电阻器的第一端之间；以及

所述第二电阻器，连接在所述第二二极管与地之间。

3.根据权利要求2所述的偏置电路，其中，所述电流产生电路被配置为在所述第一二极管与所述第二二极管之间的连接节点处输出所述温度电压。

4.根据权利要求3所述的偏置电路，其中，所述第二二极管被配置为具有与包括在所述放大电路中的放大晶体管的基极-发射极PN结的温度特性相同的温度特性。

5.根据权利要求4所述的偏置电路，其中，所述偏置输出电路包括：

输出晶体管，具有与所述第一电阻器与所述第一二极管之间的连接节点连接的基极、连接到电源电压的端子的集电极以及连接到所述放大电路的发射极。

6.根据权利要求5所述的偏置电路，其中，所述输出晶体管被配置为放大所述内部基极电流的输入到所述基极的电流，并且通过所述发射极输出所述基极偏置电流。

7.根据权利要求6所述的偏置电路，其中，所述温度补偿电路包括：

第三电阻器，具有与所述第一二极管与所述第二二极管之间的所述连接节点连接的第一端；

第四电阻器，具有连接到所述输出晶体管的所述基极的第一端；

补偿晶体管，具有连接到所述第三电阻器的第二端的基极、连接到所述第四电阻器的第二端的集电极以及连接到地的发射极；以及

第一电容器，连接在所述补偿晶体管的所述基极与地之间，

其中，所述第四电阻器被配置为在所述补偿晶体管的所述集电极与所述输出晶体管的所述基极之间提供隔离功能，并且

所述第三电阻器和所述第一电容器被配置为形成低通滤波器。

8.根据权利要求7所述的偏置电路，其中，所述补偿晶体管被配置为根据所述温度电压的幅值来调节所述内部基极电流的吸收到地的电流。

9.一种放大装置，包括：

电流产生电路，被配置为基于参考电流产生内部基极电流；

偏置输出电路，被配置为基于所述内部基极电流产生基极偏置电流；

放大电路，包括被配置为接收所述基极偏置电流的放大晶体管；以及

温度补偿电路，被配置为基于反映周围温度改变的温度电压来调节所述基极偏置电流。

10.根据权利要求9所述的放大装置，其中，所述电流产生电路包括：

第一电阻器，具有连接到所述参考电流的端子的第一端；

第一二极管和第二二极管，彼此串联连接在所述第一电阻器的第二端与第二电阻器的第一端之间；以及

所述第二电阻器，连接在所述第二二极管与地之间。

11.根据权利要求10所述的放大装置，其中，所述电流产生电路被配置为在所述第一二极管与所述第二二极管之间的连接节点处输出所述温度电压。

12.根据权利要求11所述的放大装置，其中，所述第二二极管被配置为具有与所述放大晶体管的基极-发射极PN结的温度特性相同的温度特性。