[发明专利]光学临近效应的修正方法

权利要求书

1.一种光学临近效应的修正方法，其特征在于，包括：

提供至少一组特征图形数据，所述特征图形数据对应特征图形；

依据所述特征图形数据在光罩上制作检测图形；

将所述检测图形与所述特征图形进行比较，并根据比较结果得到所述光罩的制作能力；

根据所述光罩的制作能力形成OPC数据，并根据所述OPC数据对在光罩上形成的芯片图形进行修正。

2.根据权利要求1所述的光学临近效应的修正方法，其特征在于，所述特征图形与需要在所述光罩上形成的芯片图形具有相同的特征信息。

3.根据权利要求2所述的光学临近效应的修正方法，其特征在于，所述特征信息至少包括图形的关键尺寸、图形的间距及图形的间隙。

4.根据权利要求1所述的光学临近效应的修正方法，其特征在于，所述特征图形为经过OPC修正的图形，或者未经OPC修正的图形。

5.根据权利要求1所述的光学临近效应的修正方法，其特征在于，在所述光罩的非曝光区域制作所述检测图形。

6.根据权利要求5所述的光学临近效应的修正方法，其特征在于，所述光罩包括芯片区域及包围所述芯片区域的切割道区域，所述非曝光区域位于所述光罩的切割道区域外围。

7.根据权利要求6所述的光学临近效应的修正方法，其特征在于，所述光罩的芯片区域的图案、切割道区域图案及非曝光区域的图案在同一制程中形成，所述非曝光区域的图案包括所述检测图形。

8.根据权利要求1所述的光学临近效应的修正方法，其特征在于，还包括：

建立所述光罩的制作能力的数据库，所述数据库包括多个光罩厂的所述光罩的制作能力；

当采用某一光罩厂制作所述光罩时，选择所述光罩厂对应的所述光罩的制作能力形成OPC数据。

9.根据权利要求8所述的光学临近效应的修正方法，其特征在于，还包括：

所述数据库还包括单个光罩厂制作的所述不同特征图形的制作能力。

10.根据权利要求1所述的光学临近效应的修正方法，其特征在于，还包括：

所述光罩的制作能力包括所述特征图形和所述检测图形的差异尺寸或差异面积。