[发明专利]带、中间转印带和图像形成装置在审

专利信息
申请号: 201911075180.9 申请日: 2019-11-06
公开(公告)号: CN111983908A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 古川雅士;福田茂;杉浦聪哉;竹井大;田中宏晃 申请(专利权)人: 富士施乐株式会社
主分类号: G03G15/16 分类号: G03G15/16
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 肖轶;庞东成
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 中间 转印带 图像 形成 装置
【说明书】:

本发明涉及带、中间转印带和图像形成装置,所述带是一种用于图像形成装置的能够保持色调剂图像的带,其包括具有限定所述带外周面的表面层的多层结构。所述带在100V的5秒体积电阻率为10.0logΩ·cm以上且12.5logΩ·cm以下。所述带的外周面在100V的3秒表面电阻率大于11.0logΩ/sq且小于或等于13.5logΩ/sq。所述带的外周面在100V的1秒表面电阻率与所述带的外周面在100V的100秒表面电阻率之差为0.5以下。

技术领域

本公开涉及带、中间转印带和图像形成装置。

背景技术

电子照相图像形成装置(例如,复印机、传真机和打印机)通过将形成在图像保持构件的表面上的色调剂图像转印到记录介质的表面上并将色调剂图像定影到记录介质上而形成图像。当将色调剂图像转印到记录介质上时,使用诸如中间转印带的导电带。

例如,日本特许公开专利申请公布号2010-026432公开了一种用于图像形成装置的多层环带构件,该带构件包括能够保持色调剂图像的高电阻表面层。带构件的后表面(即,环的内表面)在500V的10秒表面电阻率的常用对数为9.0至12.5log(Ω/sq)。带构件的前表面(即,环的外表面)的表面电阻率的变化,即,前表面的100秒与1秒表面电阻率值之差的常用对数在100V时为0.5至1.50log(Ω/sq),在500V时为0.2log(Ω/sq)以下。带构件的后表面的表面电阻率的变化,即,后表面的100秒与1秒表面电阻率值之差的常用对数在100V和500V时为0.1log(Ω/sq)以下。

日本特许公开专利申请公布号2009-139657公开了一种用于图像形成装置的多层环带构件,该带构件包括能够保持色调剂图像的高电阻表面层。带构件的体积电阻率的常用对数为8.0logΩ·cm以上且11.0logΩ·cm以下。带构件的前表面(即,环的外表面)的表面电阻率的变化(即,前表面的100秒与1秒表面电阻率值之差的常用对数)比带构件的后表面(即,环的内表面)的表面电阻率的变化(即,后表面的100秒与1秒表面电阻率值之差的常用对数)大0.05log(Ω/sq)以上。

发明内容

当使用图像形成装置在表面不规则性大的记录介质(例如,压纹纸张)上形成图像时,取决于保持色调剂图像的带的体积电阻率和表面电阻率、以及由于向带施加电压的时间量导致的表面电阻率的差异,转印性可能变差。

因此,本公开的目的是提供一种带,与带的外周面在100V的3秒表面电阻率为11.0logΩ/sq以下或大于13.5logΩ/sq的情况、带在100V的5秒体积电阻率小于10.0logΩ·cm或大于12.5logΩ·cm的情况或带的外周面在100V下的1秒与100秒表面电阻率值之差大于0.5的情况相比,本公开的带即使在使用表面不规则性大的记录介质时也能够实现高转印性。

根据本公开的第一方面,提供了一种用于图像形成装置的能够保持色调剂图像的带,所述带包括具有限定带外周面的表面层的多层结构;所述带在100V的5秒体积电阻率为10.0logΩ·cm以上且12.5logΩ·cm以下,在100V的5秒体积电阻率自开始施加100V的电压起经过5秒后测量;所述带的外周面在100V的3秒表面电阻率大于11.0logΩ/sq且小于或等于13.5logΩ/sq,在100V的3秒表面电阻率自开始施加100V的电压起经过3秒后测量;所述带的外周面在100V的1秒表面电阻率与所述带的外周面在100V的100秒表面电阻率之差为0.5以下,所述1秒表面电阻率自开始施加100V的电压起经过1秒后测量,所述100秒表面电阻率自开始施加100V的电压起经过100秒后测量。

根据本公开的第二方面,表面层可以包含选自由聚酰亚胺树脂和聚酰胺酰亚胺树脂组成的组中的至少一种。

根据本公开的第三方面,表面层可以由聚酰亚胺树脂组成。

根据本公开的第四方面,表面层可以包含炭黑。

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