[发明专利]RFeB系烧结磁体及其制造方法

权利要求书

1.一种RFeB系烧结磁体，

该烧结磁体由以下成分组成：

28质量％至33质量％的稀土元素R，

0质量％至2.5质量％的Co，

0.3质量％至0.7质量％的Al，

0.96质量％至1.2质量％的B，

小于1,000ppm的O，

0.5质量％以下的Cu，以及

0.35质量％以下的Zr，

余量为Fe和不可避免的杂质，

所述烧结磁体在晶粒界面中包含具有R₆Fe_14-xAl_x结构的RFeAl相，并且

矫顽力为16kOe以上。

2.根据权利要求1所述的RFeB系烧结磁体，

其中Cu的含量范围为0.1质量％至0.5质量％，

其中Cu和Al的总含量超过0.5质量％，并且

其中Al的含量大于Cu的含量。

3.根据权利要求1所述的RFeB系烧结磁体，

其中Zr的含量范围为0.05质量％至0.35质量％。

4.根据权利要求1所述的RFeB系烧结磁体，

其中，所述稀土元素R包括选自由Nb、Pr、Dy和Tb组成的组中的至少一种元素。

5.根据权利要求4所述的RFeB系烧结磁体，

其中，所述稀土元素R包括选自由Nb和Pr组成的组中的至少一种元素。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的RFeB系烧结磁体，进一步包含：

0.2质量％以下的Ga作为不可避免的杂质。

7.一种用于制造RFeB系烧结磁体的方法，该方法包括：

通过使RFeB系磁体粉末在磁场中取向，并且随后烧结所述RFeB系磁体粉末，从而制备由RFeB系烧结体构成的基材的步骤，其中所述RFeB系磁体粉末由以下成分组成：

28质量％至33质量％的稀土元素R，

0质量％至2.5质量％的Co，

0.3质量％至0.7质量％的Al，

0.96质量％至1.2质量％的B，

0.5质量％以下的Cu，以及

0.35质量％以下的Zr，

余量为Fe和不可避免的杂质；

将所述基材加热至第一时效温度的第一时效处理步骤，所述第一时效温度为落入700℃至900℃的范围内的温度，所述第一时效处理步骤进行大于0分钟；以及

将经过所述第一时效处理步骤的所述基材加热至第二时效温度的第二时效处理步骤，所述第二时效温度为落入530℃至580℃的范围内的温度，所述第二时效处理步骤进行10分钟以上，

其中，进行所述基材制备步骤、所述第一时效处理步骤以及所述第二时效处理步骤，使得最终获得的RFeB系烧结磁体的O含量小于1,000ppm。

8.根据权利要求7所述的用于制造RFeB系烧结磁体的方法，进一步包括：

将所述第一时效处理步骤之后的所述基材冷却至300℃以下的冷却步骤，

其中在所述冷却步骤之后进行所述第二时效处理步骤。

9.根据权利要求7所述的用于制造RFeB系烧结磁体的方法，

其中所述第二时效温度在560℃至580℃的范围内。

10.根据权利要求7所述的用于制造RFeB系烧结磁体的方法，

其中，在真空或惰性气体气氛中进行所述基材制备步骤、所述第一时效处理步骤和所述第二时效处理步骤中的至少一部分。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的用于制造RFeB系烧结磁体的方法，

其中，所述基材制备步骤进一步包括粉碎原料以制备所述RFeB系磁体粉末，并且在使所述RFeB系磁体粉末取向之前将所述RFeB系磁体粉末装填于模具中，并且

其中，在真空或惰性气体气氛中进行所述粉碎步骤和所述装填步骤。