[发明专利]一种图形形成方法有效
申请号: | 201911075391.2 | 申请日: | 2019-11-06 |
公开(公告)号: | CN112768351B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 石夏雨 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;高翠花 |
地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图形 形成 方法 | ||
1.一种图形形成方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供衬底;
在所述衬底上形成图形转移层,所述图形转移层包括第一材料层和第二材料层,所述第一材料层和所述第二材料层沿平行于所述衬底的方向交替排列延伸,所述第一材料层和所述第二材料层具有刻蚀选择比,在同一刻蚀气体下,仅所述第一材料层或仅所述第二材料层被移除;
在所述图形转移层上形成第一图形窗口,所述第一图形窗口中的每一个都同时暴露部分所述第一材料层和部分所述第二材料层;
沿所述第一图形窗口蚀刻所述第一材料层或所述第二材料层,在所述图形转移层中形成第二图形窗口;
沿所述第二图形窗口,刻蚀所述衬底,图形化所述衬底。
2.根据权利要求1所述的图形形成方法,其特征在于,在所述衬底上形成所述图形转移层,包括:
在所述衬底上形成所述第一材料层;
图形化所述第一材料层,在所述第一材料层中形成间隔排布的第一空隙,所述第一空隙暴露出所述衬底;
在所述第一空隙中沉积所述第二材料层,形成所述图形转移层。
3.根据权利要求2所述的图形形成方法,其特征在于,在所述第一空隙中沉积所述第二材料层,形成所述图形转移层,包括:
在所述第一材料层上沉积第二材料,所述第二材料覆盖所述第一材料层上表面并填充所述第一空隙,以在所述第一空隙中形成所述第二材料层;
去除所述第一材料层上表面的所述第二材料,形成所述第一材料层与所述第二材料层顶表面齐平的所述图形转移层。
4.根据权利要求3所述的图形形成方法,其特征在于,去除所述第一材料层上表面的所述第二材料层使用的方法包括化学机械研磨或蚀刻。
5.根据权利要求1所述的图形形成方法,其特征在于,在所述图形转移层上形成第一图形窗口,包括:
在所述图形转移层上形成光阻层;
图形化所述光阻层,在所述光阻层中形成间隔排布的所述第一图形窗口。
6.根据权利要求1所述的图形形成方法,其特征在于,所述第一图形窗口暴露的所述第一材料层及所述第二材料层沿所述第一图形窗口的中心线对称分布。
7.根据权利要求1所述的图形形成方法,其特征在于,所述图形形成方法还包括在所述衬底上形成保护层,所述保护层位于所述衬底和所述图形转移层之间。
8.根据权利要求7所述的图形形成方法,其特征在于,将所述图形转移层的图形转移到所述衬底,包括:
将所述图形转移层的所述图形转移到所述保护层;
图形化保护层;
以图形化的所述保护层为掩膜,图形化所述衬底。
9.根据权利要求1至8任一项所述的图形形成方法,其特征在于,所述第一材料层与所述第二材料层的刻蚀选择比大于6。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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