[发明专利]贴合SOI晶圆的制造方法在审
| 申请号： | 201911075806.6 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111180317A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 石塚彻;滨节哉 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贴合 soi 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种贴合SOI晶圆的制造方法，是将均由单晶硅构成的接合晶圆和基础晶圆经由硅氧化膜贴合来制造贴合SOI晶圆的方法，其特征在于，具有：
准备初始间隙氧浓度在15ppma(’79ASTM)以上的单晶硅晶圆作为所述基础晶圆的工序；
当通过对所述基础晶圆在氧化性气氛下实施热处理而在所述基础晶圆的表面形成硅氧化膜时，将所述基础晶圆向进行所述热处理的热处理炉的投入温度设为800℃以上，并以该投入温度以上的温度进行所述基础晶圆的所述热处理而形成硅氧化膜的工序；
经由所述硅氧化膜使所述基础晶圆与所述接合晶圆贴合的工序；以及
使贴合的所述接合晶圆薄膜化而形成SOI层的工序。
2.根据权利要求1所述的贴合SOI晶圆的制造方法，其特征在于，使所述基础晶圆的直径在200mm以上。
3.根据权利要求1所述的贴合SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在所述热处理之前对所述基础晶圆在800℃以上的温度下进行RTA热处理。
4.根据权利要求2所述的贴合SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在所述热处理之前对所述基础晶圆在800℃以上的温度下进行RTA热处理。
5.根据权利要求1至4的任一项所述的贴合SOI晶圆的制造方法，其特征在于，
在形成所述硅氧化膜的工序中，
使形成于所述基础晶圆表面的所述硅氧化膜的厚度在1μm以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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