[发明专利]一种硒半导体薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种硒半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)，将纯玻璃基片或ITO基片清洗吹干待用；

步骤2)，取硒粉置于圆柱形开口石英坩埚中，将石英坩埚放置于刚玉方舟中央；

步骤3)，将石英管置于双温区管式气氛炉上，再将所述刚玉方舟放置于石英管中气氛炉右温区中央位置，将纯玻璃基片或ITO基片固定在倾斜的石墨支架上，然后置于石英管的右端与硒粉蒸发源一定距离处；

步骤4)，封闭石英管，并用真空泵在石英管腔体最右端对腔体抽真空，使气压降低；将气氛炉升温至210～270℃后，保温1～10min，保温结束立刻打开气氛炉上盖，使腔体快速降温冷却至室温后，将基片取出，完成薄膜沉积；

步骤5)，将制备好的薄膜在空气中退火，自然冷却至室温，薄膜制备完成。

2.根据权利要求1所述硒半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，纯玻璃基片或ITO基片先用洗涤剂手工清洗，自来水冲洗两到三次，再用去离子水冲洗两到三次，然后去离子水超声15min，丙酮超声15min，乙醇超声15min，放在干净的乙醇中，之后取出用纯氮气吹干，并臭氧处理15分钟。

3.根据权利要求1所述硒半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，硒粉纯度≥99.9％。

4.根据权利要求1所述硒半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，石英坩埚的直径1.5cm，高2.0cm，壁厚2.5mm，刚玉方舟长3cm，宽1.8cm。

5.根据权利要求1所述硒半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，刚玉方舟距双温区管式气氛炉的非加热区域10cm，所述纯玻璃基片或ITO基片倾斜角度为40°，位于硒粉右侧，与硒粉蒸发源的距离为11～17cm。

6.根据权利要求1所述硒半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤4)中，抽真空使气压降低到1.0～9.9Pa，在20～30℃下以5～25℃/min的升温速率给气氛炉升温。

7.根据权利要求1所述硒半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤4)中，从开始升温到基片取出之前，腔体气压始终保持在确定数值，左右温区设置参数完全相同。

8.根据权利要求1所述硒半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中，所述退火温度为150～200℃，时间1～10min。