[发明专利]一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法

说明书

本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体功率器件制备技术领域，具体涉及一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法。

背景技术

近年来，第三代透明半导体材料--宽禁带透明半导体材料，已成为当今电子产业发展的新型动力。宽禁带透明半导体材料具有热导率高、电子饱和速度高、击穿电压高、介电常数低等特点，这就从理论上保证了其较宽的适用范围，例如，可以用于SiC和GaN等电力电子器件。

在这类电子电力器件制备的过程中，光刻工艺直接决定了大规模集成电路的特征尺寸，是大规模集成电路制造的关键工艺。具体地，光刻工艺是通过曝光的方法将掩模上的图形转移到涂覆于硅片表面的光刻胶上，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到硅片上。

双面对准标记光刻是针对硅及其它半导体基片发展起来的加工技术。双面对准标记光刻需要在基片两面制作光刻图样并且实现映射对准曝光，如果图样不是轴向对称的，则需要事先设计图样成镜像关系的两块掩模板，每块掩模板用于基片一个表面的曝光。然而，对半导体基片进行双面对准标记光刻时，容易对基片材料表面产生损伤，影响晶圆上器件的分布问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，以解决现有技术中采用双面对准标记光刻时，容易对基片材料表面产生损伤，影响晶圆上器件的分布问题。

本发明实施例提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据所述激光入射位置，在所述透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据所述激光标记，在所述透明半导体材料样品的背面形成对准标记。

可选地，所述激光标记距所述透明半导体材料样品正面的距离为所述透明半导体材料样品总厚度的2/3至4/5。

可选地，所述激光的光束为双路光束或三路光束。

可选地，所述激光的光束为紫外、深紫外、红外或深红外激光光束。

可选地，根据所述激光标记，在所述透明半导体材料样品背面形成对准标记，包括：在所述透明半导体材料样品背面涂覆光刻胶；根据所述激光标记，对所述光刻胶进行曝光、显影和坚膜，在所述透明半导体材料样品背面形成对准标记。

可选地，该透明半导体材料双面对准标记的制备方法还包括：检测所述激光标记与所述对准标记之间的套刻误差，去除所述套刻误差精度低于1um的透明半导体材料样品。

可选地，所述激光标记的宽度为1um-10um。

可选地，所述透明半导体材料样品包括：碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石材料中的至少一种。

本发明技术方案，具有如下优点：

本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，相比现有技术中的双面对准标记光刻工艺，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。