[发明专利]一种基于卤盐盐蚀的电极及其制备方法

权利要求书

1.一种基于卤盐盐蚀的电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.对金属镍基底进行清洁处理，得到洁净金属镍基底；

S2.将步骤S1得到的洁净金属镍基底置于含有卤盐和亚铁化合物的混合溶液中浸泡3~18h进行盐蚀处理，然后用蒸馏水冲洗干净，得到表面为镍铁组合氧化态物质的电极，所述镍铁组合氧化态物质为纳米片阵列结构；

其中，所述卤盐为氯化钾、氯化镁、氯化锂、氯化钠、氟化钠、氟化钾、溴化钾和溴化钠中的一种或几种，所述亚铁化合物为氯化亚铁、溴化亚铁、乙酸亚铁和二茂铁中的一种或几种；所述混合溶液中：卤素离子总浓度为0.1~6mol/L；亚铁离子总浓度为0.001~0.5mmol/L。

2.根据权利要求1所述的电极制备方法，其特征在于，步骤S1中所述清洁处理具体为：将金属镍基底置于丙酮溶液中超声清洗10~30min，再用乙醇反复清洗后置于浓度为1~6mol/L的盐酸溶液中超声清洗5~25min，并静置10~30min，再用蒸馏水反复清洗，干燥后得到洁净的金属镍基底。

3.根据权利要求1所述的电极制备方法，其特征在于，所述金属镍基底为镍网、泡沫镍和镍片中的一种。

4.根据权利要求1所述的电极制备方法，其特征在于，所述镍铁组合氧化态物质包含氧化镍和氢氧化镍中的一种或两种，同时还包含三氧化二铁、氧化亚铁、氢氧化铁、铁掺杂氧化镍和铁掺杂氢氧化镍中的一种或几种。

5.根据权利要求1~4任意一项所述制备方法制备得到的电极。