[发明专利]基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法有效
申请号: | 201911076725.8 | 申请日: | 2019-11-06 |
公开(公告)号: | CN110768513B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 张千帆;曲建真;崔淑梅;王金鑫;袁雪 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 于歌 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 布线 优化 碳化硅 功率 开关 器件 并联 设计 方法 | ||
1.一种基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法,包括:
在PCB电路板上,依次并行设置至少三个布线分隔槽,在每个布线分隔槽内设置由两个SiC器件组成的功率半桥,从而增加相邻功率半桥之间的寄生电感;
其特征在于,所述两个SiC器件之间并联两个直流电容。
2.根据权利要求1所述的基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法,其特征在于,所述布线分隔槽为四个,四个布线分隔槽内的八个SiC器件及八个直流电容组成一个半桥单元。
3.根据权利要求2所述的基于布线优化的碳化硅功率开关器件并联设计方法,其特征在于,还包括驱动电路的设计,所述驱动电路利用层叠母排布线方式,来降低驱动电路寄生环路电感差异,从而使相同的驱动信号施加于各并联SiC器件。
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