[发明专利]一种自适应离子强度的磁控溅射台

权利要求书

1.一种自适应离子强度的磁控溅射台，包括机体(1)、溅射腔室(2)、屏蔽罩(3)、旋转电极(4)、基板(5)、溅射靶材(6)、底板(7)，溅射腔室(2)安装在机体(1)的顶部，屏蔽罩(3)安装在溅射腔室(2)的内壁，旋转电极(4)安装在溅射腔室(2)上，基板(5)安装在屏蔽罩(3)的内壁，溅射靶材(6)安装在基板(5)内，底板(7)安装在位于溅射靶材(6)下方溅射腔室(2)的内壁上，其特征在于：所述底板(7)的两侧均固定连接有滑动块(8)，所述滑动块(8)的数量为两个，两个所述滑动块(8)之间固定连接有支撑杆(9)，所述支撑杆(9)的底部固定连接有定位杆(11)，所述定位杆(11)的末端固定连接有磁块(12)，所述磁块(12)的底部固定连接有支撑杆(13)，所述机体(1)的内壁上安装有位于磁块(12)下方的铁芯(17)，所述铁芯(17)上缠绕有导线(18)，所述铁芯(17)的顶端固定连接有铁圈(16)，所述铁圈(16)、铁芯(17)、导线(18)通电后释放磁力，所述导线(18)与机体(1)上的电源电连接；

所述支撑杆(9)、定位杆(11)与磁块(12)的中部均开设有大于支撑杆(13)直径的凹槽，所述支撑杆(13)的外壁支撑杆(9)、定位杆(11)与磁块(12)的内壁滑动连接，所述支撑杆(13)上套装有弹簧(14)，所述弹簧(14)的顶端与磁块(12)的底部连接，所述弹簧(14)的末端与铁圈(16)的顶部连接，所述弹簧(14)的初始弹力大于底板(7)、滑动块(8)、支撑杆(9)的重力。

2.根据权利要求1所述的一种自适应离子强度的磁控溅射台，其特征在于：所述溅射腔室(2)的内壁开设有滑槽(10)，所述滑槽(10)的内壁与滑动块(8)的外壁滑动连接，所述滑槽(10)的长度大于支撑杆(9)移动的长度。

3.根据权利要求1所述的一种自适应离子强度的磁控溅射台，其特征在于：所述溅射腔室(2)的底壁安装有位于铁圈(16)外部的磁轭(15)，所述磁轭(15)的内壁与铁圈(16)的外壁间隙配合，所述磁轭(15)的直径大与磁块(12)的直径，所述磁轭(15)的顶部安装有缓冲垫(19)，所述缓冲垫(19)的材质为弹性橡胶，所述铁圈(16)、铁芯(17)、导线(18)通电后释放的磁力与磁块(12)的释放的磁力异极相吸状态。