[发明专利]具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构及其制作方法

权利要求书

1. 一种具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构，它包括终端区和元胞区，终端区位于器件外围且环绕着元胞区，元胞区位于SJ MOS器件的中心区，且元胞区由若干个MOS器件单元体并联而成；其特征是：

所述SJ MOS器件包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底（1）及位于第一导电类型重掺杂衬底（1）的上表面的第一导电类型外延层（2），在第一导电类型外延层（2）的上表面左侧向下开设有元胞沟槽（3），在元胞沟槽（3）内设有氧化层（4），氧化层（4）的上表面凸出第一导电类型外延层（2）的上表面，在氧化层（4）的内部设有呈上下间隔设置的屏蔽栅（5）和栅极导电多晶硅（8），屏蔽栅（5）位于栅极导电多晶硅（8）的下方，在氧化层（4）之间的第一导电类型外延层（2）的上表面向下开设有阶梯型的第二导电类型外延体槽（9），在第二导电类型外延体槽（9）内填满第二导电类型外延体（10），第二导电类型外延体（10）的上表面低于氧化层（4）的上表面；且在从上往下的方向上，第二导电类型外延体槽（9）的内径呈逐级缩小设置；

在第一导电类型外延层（2）的上表面右侧向下开设有终端沟槽（15），在终端沟槽（15）内设有场氧层（16），场氧层（16）的上表面凸出第一导电类型外延层（2）的上表面，在场氧层（16）内部设有呈上下间隔设置的下层终端场板（17）和上层终端场板（18），下层终端场板（17）位于上层终端场板（18）的下方，在场氧层（16）和氧化层（4）之间的第一导电类型外延层（2）的上表面向下开设有阶梯型的第二导电类型外延体槽（9），在第二导电类型外延体槽（9）内填满第二导电类型外延体（10），第二导电类型外延体（10）的上表面低于场氧层（16）的上表面，且第二导电类型外延体（10）的上表面凸出第一导电类型外延层（2）的上表面；

在第二导电类型外延体（10）的上表面设有第一导电类型源极区（11）与源极接触金属（12），在第一导电类型源极区（11）与氧化层（4）的上表面设有绝缘介质层（13），在绝缘介质层（13）与源极接触金属（12）的上表面设有源极金属层（14）；

在第一导电类型外延层（2）的右侧上表面设有场氧条块（19），所述源极金属层（14）的右端下表面与场氧条块（19）的左端部上表面以及最左侧的场氧层（16）的上表面接触。

2. 如权利要求1所述的具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构，其特征是：所述屏蔽栅（5）和栅极导电多晶硅（8）之间的氧化层（4）的厚度为1000A~5000A。

3. 如权利要求1所述的具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构，其特征是：所述下层终端场板（17）和上层终端场板（18）之间的场氧层（16）的厚度为1000A~5000A。

4. 如权利要求1所述的具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构，其特征是：所述元胞沟槽（3）与终端沟槽（15）的深度均为4~10um。

5. 如权利要求1所述的具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构，其特征是：所述第二导电类型外延体槽（9）每级阶梯的高度为1~5um。

6. 如权利要求1所述的具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构，其特征是：所述源极金属层（14）和栅极导电多晶硅（8）之间通过绝缘介质层（13）隔开。

7. 如权利要求1所述的具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构，其特征是：所述第一导电类型重掺杂衬底（1）、第一导电类型外延层（2）与第一导电类型源极区（11）为N型导电时，第二导电类型外延体（10）为P型导电；或者，第一导电类型重掺杂衬底（1）、第一导电类型外延层（2）与第一导电类型源极区（11）为P型导电时，第二导电类型外延体（10）为N型导电。