[发明专利]像素及其控制方法、有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201911079723.4 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN110853582B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 杨波;梁鹏飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3258 | 分类号: | G09G3/3258 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 及其 控制 方法 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种像素,其特征在于,所述像素包括:
发光元件,所述发光元件的一端连接第一公共电压端,所述发光元件的另一端连接第三节点;
驱动晶体管,所述驱动晶体管的主栅极连接第一节点,所述驱动晶体管的辅栅极连接第二节点,所述驱动晶体管的第一端连接第二公共电压端,所述驱动晶体管的第二端连接所述第三节点;
第一开关,所述第一开关的控制端连接第一扫描信号输入端,所述第一开关的第一端连接数据线,所述第一开关的第二端连接所述第一节点;
第二开关,所述第二开关的控制端连接第二控制信号输入端,所述第二开关的第一端连接所述数据线,所述第二开关的第二端连接所述第二节点;
第三开关,所述第三开关的控制端连接第三控制信号输入端,所述第三开关的第一端连接预设电压输入端,所述第三开关的第二端连接所述第三节点;
第一存储电容器,所述第一存储电容器的第一端连接所述第一节点,所述第一存储电容器的第二端连接所述第三节点;以及
第二存储电容器,所述第二存储电容器的第一端连接所述第二节点,所述第二存储电容器的第二端连接所述第三节点;
其中,获取阈值电压阶段,所述第一开关关闭,所述第二开关打开以将第一参考电压写入至所述第二节点,所述第三开关打开以将第三预设电压写入至所述第三节点,所述第三节点的电压逐渐抬升至所述第二节点与所述第三节点的电压差为所述阈值电压;
电子迁移率获取阶段,所述第二开关关闭,所述第一开关打开以将第二参考电压写入至所述第一节点,所述第三开关打开以将第四预设电压写入至所述第三节点后关闭,所述第一存储电容器获取所述第二参考电压和所述第四预设电压的电压差以作为电子迁移率侦测对应的数据电压,所述驱动晶体管在所述主栅极和所述辅栅极的电压的作用下打开,选择开关选择至电子迁移率侦测端,所述电子迁移率侦测端载入侦测信号至信号供给线,并采集所述第三节点的电压至所述电子迁移率侦测端。
2.根据权利要求1所述的像素,其特征在于,所述数据线用于载入数据电压。
3.根据权利要求1所述的像素,其特征在于,所述像素还包括信号供给线和选择开关,所述第三开关的第一端通过所述信号供给线连接至所述选择开关的第一端,所述选择开关的第二端与所述预设电压输入端连接,所述选择开关选择至所述预设电压输入端时,所述预设电压输入端向所述第三节点写入预设电压。
4.根据权利要求3所述的像素,其特征在于,所述像素还包括与电子迁移率侦测单元连接的电子迁移率侦测端,所述选择开关选择至所述电子迁移率侦测端时,所述电子迁移率侦测端用于载入侦测信号,并采集所述第三节点的电压,所述电子迁移率侦测单元用于根据所述电子迁移率侦测端侦测的所述第三节点的电压计算所述驱动晶体管的电子迁移率。
5.根据权利要求1所述的像素,其特征在于,所述第二控制信号输入端用于载入第二扫描信号,所述第三控制信号输入端用于载入第三扫描信号。
6.根据权利要求1所述的像素,其特征在于,所述第二公共电压端载入的电压高于所述第一公共电压端载入的电压。
7.根据权利要求1所述的像素,其特征在于,所述发光元件为有机发光二极管。
8.一种如权利要求1-7任一项所述像素的控制方法,其特征在于,在驱动所述像素时,所述控制方法包括如下步骤:
写入数据电压阶段,所述第二开关关闭,所述第一开关打开以将所述数据线传输的数据电压写入至所述第一节点,所述第三开关打开以将第二预设电压写入至所述第三节点,所述第一存储电容器获取所述数据电压和所述第二预设电压的压差;
发光阶段,所述第一开关、所述第二开关以及所述第三开关关闭,所述驱动晶体管打开以驱动所述发光元件发光。
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