[发明专利]层叠体的加工方法有效
申请号: | 201911080421.9 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN111192852B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L27/146;B23K26/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 加工 方法 | ||
1.一种层叠体的加工方法,将在晶片的正面上借助透明的粘接层而配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片,所述晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个图像传感器,其中,
该层叠体的加工方法具有如下的工序:
切削槽形成工序,从层叠体的玻璃基板侧定位切削刀具,对与分割预定线对应的区域进行切削,在该玻璃基板上形成到达粘接层的切削槽;
分割起点形成工序,从晶片的背面侧将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该晶片的与该分割预定线对应的区域的内部而照射该激光光线,在该晶片的内部连续地形成改质层,并且形成从该改质层到达该粘接层的裂纹,从而形成分割起点;
层叠体支承工序,至少在该切削槽形成工序之后,将该层叠体的玻璃基板侧借助扩展带而支承于具有对该层叠体进行收纳的大小的开口部的框架;
分割工序,在实施了该分割起点形成工序和该层叠体支承工序之后,对该扩展带进行扩展,通过沿着该分割起点而形成的分割槽将该层叠体分割成各个图像传感器芯片;
水溶性树脂填充工序,在通过该分割工序而形成的该分割槽中填充水溶性树脂;
改质层去除工序,在该水溶性树脂发生了固化或半固化的状态下将切削刀具定位于该晶片的背面上所形成的该分割槽而进行切削,从而将该改质层去除;以及
水溶性树脂去除工序,在维持该扩展带的该扩展状态的状态下,从该晶片的背面提供清洗水,将填充在该切削槽和该分割槽中的水溶性树脂去除。
2.根据权利要求1所述的层叠体的加工方法,其中,
在实施该分割工序之前,预先在该晶片的背面上包覆水溶性树脂,在通过该分割工序将该层叠体分割成各个图像传感器芯片时,将该水溶性树脂从该晶片的背面填充至该分割槽,实施该水溶性树脂填充工序。
3.根据权利要求1所述的层叠体的加工方法,其中,
在从该分割工序完成后至该水溶性树脂去除工序开始为止的期间的任意时刻,对处于该层叠体与该框架之间的扩展带施加热而使该扩展带收缩,从而维持扩展状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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