[发明专利]一种新型石墨烯扬声器有效

专利信息
申请号: 201911080617.8 申请日: 2019-11-07
公开(公告)号: CN110868677B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 陈霏;刘作旭;依明;姬俊宇 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H04R9/06 分类号: H04R9/06;H04R9/02
代理公司: 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 代理人: 韩新城
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 石墨 扬声器
【权利要求书】:

1.一种新型石墨烯扬声器,其特征在于,包括发声的石墨烯及其驱动电路,所述驱动电路包括滤波器模块以及调制器模块,升压电路,所述滤波器模块以及调制器模块,升压电路依次顺序电连接,所述滤波器模块包括滤波器A模块以及滤波器B模块,所述滤波器A模块的输出端以及滤波器B模块的输入端相连接,所述滤波器B模块的输出端与调制器模块的输入端连接,升压电路的输出端与所述石墨烯的输入端相连接;所述滤波器模块接收声数字输入信号,完成对数字输入信号的升采样,同时滤除因升采样引入的带外噪声,所述调制器模块接收滤波器模块处理过的信号,调制输出为脉冲密度调制信号,所述升压电路将调制器模块输出的脉冲密度调制信号电压抬高后传给石墨烯,确保石墨烯准确发声;

所述升压电路包括源极相接后接VDD的PMOS管P1与PMOS管P2,源极相接后接GND的MNOS管N2与NMOS管N1;PMOS管P1的栅极与PMOS管P2的漏极相接后与VOUT端接,PMOS管P2的栅极与PMOS管P1的漏极相接,MNOS管N1的漏极与PMOS管P1的漏极相接,NMOS管N2的漏极与PMOS管P2的漏极相接,MNOS管N1栅极接INPUT端,NMOS管N2的栅极通过一个非门接INPUT端。

2.根据权利要求1所述新型石墨烯扬声器,其特征在于,所述滤波器A模块采用2级IIR滤波器,滤波器B模块采用4级梳值滤波器,通过级联2级IIR滤波器和4级梳值滤波器实现64倍过采样和相关镜像滤波。

3.根据权利要求1所述新型石墨烯扬声器,其特征在于,所述调制器模块采用单环结构的delta-sigma调制结构。

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