[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供晶圆，所述晶圆内具有切割道，所述切割道内具有测试焊盘、第一测试结构及第二测试结构；所述第二测试结构位于所述第一测试结构的下方，所述第二测试结构与所述第一测试结构之间的横向间距至少为所述测试焊盘的宽度；

于所述晶圆上形成保护层，所述保护层至少覆盖所述切割道；

对所述保护层进行曝光显影，以使得所述第一测试结构上方保留的所述保护层的厚度大于所述第二测试结构上方保留的所述保护层的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述保护层进行曝光显影包括如下步骤：

将第一光罩置于所述保护层的上方，所述第一光罩对应于所述切割道内所述第一测试结构之外的区域内形成有第一透光区域；

基于所述第一光罩于第一曝光剂量或第一曝光能量下对所述保护层进行第一次曝光；

去除所述第一光罩；将第二光罩至于所述保护层的上方，所述第二光罩至少对应于所述测试焊盘的区域内形成有第二透光区域；

基于所述第二光罩于第二曝光剂量或第二曝光能量下对所述保护层进行第二次曝光；所述第二曝光剂量为第二次曝光的曝光区域内的所述保护层经后续显影后被完全去除的最小曝光剂量，所述第二曝光能量为第二次曝光的曝光区域内的所述保护层经后续显影后被完全去除的最小曝光能量；所述第二曝光剂量大于所述第一曝光剂量，所述第二曝光能量大于所述第一曝光能量；

对曝光后的所述保护层进行显影；显影后所述第一测试结构上方保留的所述保护层的厚度大于所述第二测试结构上方保留的所述保护层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述保护层进行曝光显影包括如下步骤：

将光罩置于所述保护层的上方，所述光罩对应于所述切割道内所述第一测试结构之外的区域内形成有若干个第一透光区域，且所述光罩至少对应于所述测试焊盘的区域内形成有第二透光区域；

基于所述光罩对所述保护层进行曝光；

对曝光后的所述保护层进行显影；显影后所述第一测试结构上方保留的所述保护层的厚度大于所述第二测试结构上方保留的所述保护层的厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，若干个所述第一透光区域呈条状间隔排布、网格状排布或无规则排布。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述晶圆的上表面形成所述保护层之前还包括于所述晶圆的上表面形成钝化层的步骤；所述保护层形成于所述钝化层的上表面；显影之后还包括如下步骤：将所述保护层固化；刻蚀去除所述测试焊盘上方的所述钝化层及部分所述晶圆，以暴露出所述测试焊盘。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一测试结构上方保留的所述保护层的厚度为所述第二测试结构上方保留的所述保护层的厚度的1.5倍～4倍。

7.一种半导体结构，其特征在于，包括：

晶圆，所述晶圆具有切割道，所述切割道内具有测试焊盘；

第一测试结构，所述第一测试结构位于所述切割道内；

第二测试结构，所述第二测试结构位于所述切割道内，且位于所述第一测试结构的下方；所述第二测试结构与所述第一测试结构之间的横向间距至少为所述测试焊盘的宽度；

保护层，位于所述第一测试结构和所述第二测试结构上方，且所述第一测试结构上方的所述保护层的厚度大于所述第二测试结构上方的所述保护层的厚度。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层包括聚酰亚胺层或聚苯并恶唑层。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括钝化层，所述钝化层位于所述晶圆的上表面；所述保护层位于所述钝化层的上表面。