[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201911081130.1 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN111180516B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 斋藤顺;山下侑佑;浦上泰 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 任天诺;高培培 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具备:
半导体基板;
绝缘膜,覆盖所述半导体基板的上表面的一部分;
栅电极,隔着所述绝缘膜而与所述半导体基板的所述上表面对向;
上表面电极,与所述半导体基板的所述上表面的另一部分相接;及
下表面电极,与所述半导体基板的下表面相接,
所述半导体基板具备:
n型的第一半导体区域,在所述上表面与所述上表面电极相接;
p型的体层,位于所述第一半导体区域的周围,并在所述上表面隔着所述绝缘膜而与所述栅电极对向;及
n型的漂移层,位于所述体层与所述下表面电极之间并具有通过所述体层而向所述上表面延伸的部分,在所述上表面隔着所述绝缘膜而与所述栅电极对向,
所述绝缘膜从所述栅电极的下表面通过所述栅电极与所述上表面电极之间而延伸至所述栅电极的上表面,并在所述栅电极的所述上表面划定开口,
在通过与所述栅电极对向的所述漂移层的对向面并与该对向面垂直的直线的集合即第一区域内,在所述栅电极的所述上表面不存在所述绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
在通过所述漂移层的所述对向面并相对于所述对向面呈45度的角度的直线的集合即第二区域内,在所述栅电极的所述上表面不存在所述绝缘膜。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述半导体装置还具备吸热构件,该吸热构件在所述绝缘膜的所述开口内与所述栅电极的所述上表面相接,并且体积热容量比所述绝缘膜大。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述栅电极的所述上表面中的至少位于所述第一区域内的部分与所述吸热构件相接。
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其中,
所述吸热构件由金属构成。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体装置,其中,
所述栅电极由多晶硅构成,
所述上表面电极由金属构成。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体装置,其中,
所述绝缘膜由是无机物且具有共价键的绝缘体构成。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,
构成所述绝缘膜的所述绝缘体是氧化硅、氮化硅、氮化铝中的任一种。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的半导体装置,其中,
所述半导体基板还具备n型的漏极层,该n型的漏极层位于所述漂移层与所述下表面电极之间,在所述半导体基板的所述下表面与所述下表面电极相接。
10.根据权利要求1~8中任一项所述的半导体装置,其中,
所述半导体基板还具备p型的集电极层,该p型的集电极层位于所述漂移层与所述下表面电极之间,在所述半导体基板的所述下表面与所述下表面电极相接。
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