[发明专利]半导体制冷器件的散热装置、制备方法及杀菌模块

权利要求书

1.半导体制冷器件的散热装置，其特征在于，包括：

片状主体，以隔热材料制作；

在所述片状主体上等间隔开设M行N列通孔，以使得所述片状主体能够套装在半导体制冷器件的PN结阵列上；其中，M和N为正整数。

2.根据权利要求1所述的半导体制冷器件的散热装置，其特征在于，所述隔热材料的表面附有反光膜。

3.根据权利要求1所述的半导体制冷器件的散热装置，其特征在于，所述隔热材料中添加有反光粒子。

4.根据权利要求3所述的半导体制冷器件的散热装置，其特征在于，所述反光粒子为二氧化钛、氧化锌、纳米铝粒子或反光玻璃微珠。

5.半导体制冷器件制备方法，其特征在于，包括：

采用隔热材料制备一片状主体；

在所述片状主体上等间隔开设M行N列通孔；其中，M和N为正整数；

将所述片状主体套装在预先制备的PN结阵列上；

使用导体交错导接所述PN结以实现所述PN结的串联；

在所述片状主体两端面上贴装导热瓷片形成半导体制冷器件。

6.根据权利要求5所述的半导体制冷器件的制备方法，其特征在于，预先制备PN结阵列的步骤，具体包括：

将P型半导体和N型半导体交错排列；

则，使用导体交错导接所述PN结以实现所述PN结的串联，具体包括：

所述片状主体套装在PN结阵列上后，在所述片状主体的第一面和与所述第一面相对的第二面上，分别以若干第一导体和若干第二导体对所述P型半导体和N型半导体交错导接以实现PN结的串联；

其中，所述片状主体上的一个通孔套装一个P型半导体或一个N型半导体。

7.根据权利要求5所述的半导体制冷器件的制备方法，其特征在于，

预先制备PN结阵列的步骤，具体包括：

将一个P型半导体和一个N型半导体一端导接后形成的一个PN结；

将若干PN结呈阵列排布；

则，使用导体交错导接所述PN结以实现所述PN结的串联，具体包括：

在所述片状主体套装在PN结阵列上后，在所述片状主体的一面上以若干第三导体对相邻PN结导接以实现PN结的串联；

其中，所述片状主体上的一个通孔用于套装一个PN结。

8.根据权利要求6或7所述的半导体制冷器件的制备方法，其特征在于，在实现PN结的串联之后，以及在所述片状主体两端面上贴装导热瓷片形成半导体制冷器件之前，所述方法还包括：

在PN结阵列表面喷涂纳米透明隔热涂料。

9.深紫外LED流体杀菌模块，其特征在于，包括：

LED模组；

基于如权利要求5-8任一项所述的半导体制冷器件的制备方法制备的半导体制冷器件，其冷端与所述LED模组的导热底板接触，二者之间涂有导热硅脂，并在二者接触的周边使用保温材料封装。

10.根据权利要求9所述的深紫外LED流体杀菌模块，其特征在于，所述深紫外LED流体杀菌模块还包括：

杀菌腔体，所述LED模组安装于所述杀菌腔体中，对所述杀菌腔体内的流体进行杀菌；

半导体热端散热装置，安装于所述半导体制冷器件的热端，用以引导所述杀菌腔体内的流体对热端进行降温。