[发明专利]基片支承器、等离子体处理装置和聚焦环

权利要求书

1.一种等离子体处理装置用的基片支承器，其特征在于，包括：

第1支承区域，其构成为能够支承载置于其上的基片；

第2支承区域，其构成为能够支承载置于其上的聚焦环，所述第2支承区域在所述第1支承区域的径向上的外侧沿周向延伸；

与所述聚焦环连接的导电结构，该导电结构包括：在所述第2支承区域的所述径向上的外侧提供端子区域，并从该端子区域向下方延伸的导电路径；和将所述聚焦环与所述端子区域相互电连接的连接部件，所述连接部件以面向所述聚焦环的在该连接部件的所述径向上的外侧向下方延伸的面的方式配置在所述端子区域上；和

保持件，其以向下方按压所述连接部件，并且使所述连接部件按压所述聚焦环的所述面的方式保持该连接部件。

2.如权利要求1所述的基片支承器，其特征在于，

所述连接部件包括：

面向所述聚焦环的所述面的第1部分；和

与所述第1部分的下部连续地形成，并从该第1部分向所述径向上的外侧延伸的第2部分，

所述保持件以向下方按压所述第2部分的方式保持所述连接部件。

3.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：

还包括被夹持于所述连接部件与所述端子区域之间的具有弹性的导电部件。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片支承器，其特征在于：

还包括被夹持于所述保持件与所述聚焦环的所述面之间的具有弹性的导电部件。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基片支承器，其特征在于：

还包括所述聚焦环。

6.如权利要求5所述的基片支承器，其特征在于，

所述聚焦环包括：

第1环状部，其为环状且为板状，配置在所述第2支承区域上；和

第2环状部，其包含所述聚焦环的所述面，以面向所述连接部件的方式从所述第1环状部向下方延伸。

7.如权利要求5或6所述的基片支承器，其特征在于：

所述保持件具有绝缘性，

所述连接部件由所述聚焦环和所述保持件遮挡。

8.如权利要求1～7中任一项所述的基片支承器，其特征在于：

所述第2支承区域包含构成为能够利用静电引力来保持所述聚焦环的保持区域。

9.如权利要求8所述的基片支承器，其特征在于：

用于向所述保持区域与所述聚焦环之间供给导热气体的气体管道通过所述第2支承区域。

10.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

腔室；

权利要求1～9中任一项所述的基片支承器，其在所述腔室内支承基片和聚焦环；

与所述基片支承器的下部电极电连接的高频电源；和

在所述腔室的外侧与所述导电结构电连接的其它电源，该其它电源对所述聚焦环施加负极性的电压。

11.一种等离子体处理装置用的基片支承器，其特征在于，包括：

第1支承区域，其构成为能够支承载置于其上的基片；

第2支承区域，其构成为能够支承载置于其上的聚焦环，所述第2支承区域在所述第1支承区域的径向上的外侧沿周向延伸；和

与所述聚焦环连接的导电结构，该导电结构包括：提供端子区域的导电路径；和将所述聚焦环与所述端子区域相互电连接的连接部件，所述连接部件以面向所述聚焦环的在该连接部件的所述径向上的外侧向下方延伸的面的方式配置在所述端子区域上，

所述连接部件按压所述端子区域，并且按压所述聚焦环的所述面。

12.一种聚焦环，其特征在于，包括：

第1环状部；和

从所述第1环状部的外周部向下方延伸的第2环状部。

13.如权利要求12所述的聚焦环，其特征在于：

能够经由所述第2环状部而被施加负极性的电压。