[发明专利]基于微机电系统的强促渗透皮释药微系统及其制造方法

权利要求书

1.一种基于微机电系统的强促渗透皮释药微系统，其特征在于，包括：由下至上键合在一起的第一硅片基体、第二硅片基体和第一SOI硅片；

在第一硅片基体上形成有由若干个微针组成的微针阵列，每个微针均包括微针针尖、微针针体和微针空腔；

第一硅片基体和第二硅片基体之间形成有一储药腔体，所述储药腔体与微针阵列的各个微针空腔连通；在所述第二硅片基体的顶部开设有一送药孔，所述送药孔与所述储药腔体连通；

第二硅片基体与第一SOI硅片之间由下至上包括隔离墙层、振动膜层和支撑墙层；第一SOI硅片、支撑墙层和振动膜层相配合形成微超声传感器；隔离墙层与第二硅片基体的顶部之间形成有与送药孔相连通的空腔；

所述支撑墙层包括位于振动膜层上方的两个分开第一预设距离的支撑墙；

所述隔离墙层包括位于第二硅片基体上方的两个分开第二预设距离的隔离墙；在两个所述隔离墙上设置有空气隙；

所述第一SOI硅片包括重掺杂的第一基底层，通过在所述第一基底层和所述振动膜层施加交变电压，使所述振动膜层振动产生超声波。

2.根据权利要求1所述的强促渗透皮释药微系统，其特征在于，所述微针的药液出口为侧出口。

3.根据权利要求1所述的强促渗透皮释药微系统，其特征在于，所述微针针尖的长度为10 μm至1000 μm；针体的外径为5 μm至1000 μm，内径为1 μm至800 μm，长度为10 μm至2000μm。

4.一种如权利要求1所述的基于微机电系统的强促渗透皮释药微系统的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1：选取第一硅片基体，在第一硅片基体上形成由若干个微针组成的微针阵列；

步骤2：选取第二硅片基体，在第二硅片基体的底部通过刻蚀形成储药腔体，在第二硅片基体的顶部通过刻蚀形成送药孔，所述送药孔与所述储药腔体连通；

步骤3：将步骤1中加工后的第一硅片基体与步骤2中加工后的第二硅片基体键合在一起，所述储药腔体与微针阵列的各个微针空腔连通；

步骤4：选取第一SOI硅片，所述第一SOI硅片包括重掺杂的第一基底层、第一隔离层和第一装置层，在第一SOI硅片上通过刻蚀第一装置层形成支撑墙层；

步骤5：选取第二SOI硅片，所述第二SOI硅片包括第二基底层、第二隔离层和重掺杂的第二装置层，将第二SOI硅片与步骤4中加工后的第一SOI硅片键合在一起，支撑墙层与第二装置层相邻；

步骤6：去除第二基底层和第二隔离层，剩余的第二装置层作为振动膜层，第一SOI硅片、支撑墙层和振动膜层相配合形成微超声传感器；

步骤7：选取第三SOI硅片，所述第三SOI硅片包括第三基底层、第三隔离层和第三装置层，通过刻蚀第三装置层形成隔离墙层；

步骤8：将步骤7中加工后的第三SOI硅片与步骤6中的微超声传感器键合在一起，并去除第三基底层和第三隔离层；

步骤9：将步骤8中加工后的第三SOI硅片与步骤6中的微超声传感器键合在一起形成整个强促渗透皮释药微系统；其中，隔离墙层与第二硅片基体的顶部之间形成有与送药孔相连通的空腔。