[发明专利]一种能够实现低压下高读写稳定性的SRAM存储单元电路有效
| 申请号： | 201911082163.8 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110808076B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 贺雅娟;吕嘉洵;黄茂航;吴晓清;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/412 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 能够 实现 压下 读写 稳定性 sram 存储 单元 电路 | ||
1.一种能够实现低压下高读写稳定性的SRAM存储单元电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管；
第六NMOS管的栅极连接第五NMOS管的栅极并连接第一写字线，其漏极连接写位线，其源极连接第五NMOS管的漏极；
第二NMOS管的栅极连接第三写字线，其漏极连接第五NMOS管的源极、第一PMOS管的漏极以及第三PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的栅极，其源极连接第一NMOS管的漏极；
第二PMOS管的栅极连接第二写字线，其漏极连接第一PMOS管的源极，其源极连接第三PMOS管的源极并连接电源电压；
第三NMOS管的漏极连接第三PMOS管的漏极以及第一NMOS管和第一PMOS管的栅极，其源极连接第一NMOS管的源极并接地；
第四NMOS管的漏极连接读位线，其源极连接读字线。
2.根据权利要求1所述的能够实现低压下高读写稳定性的SRAM存储单元电路，其特征在于，第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管的体端均接地，第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的体端均连接电源电压。
3.根据权利要求1或2所述的能够实现低压下高读写稳定性的SRAM存储单元电路，其特征在于，在40nm工艺下所述SRAM存储单元电路中所有管子的尺寸均采用最小尺寸，即所述SRAM存储单元电路中所有管子的尺寸为长40nm，宽120nm。
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