[发明专利]一种存储器以及包括该存储器的设备

权利要求书

1.一种存储器，包括：

至少三个管芯(D1-Dn)，每个管芯包括终端电阻(ODT1-ODTn)，所述管芯(D1-Dn)之间设置有通信路径；

其中，

所述管芯(D1-Dn)中的一个为目标管芯(T-D)，该目标管芯(T-D)的终端电阻为目标终端电阻(T-ODT)，其他的管芯为非目标管芯(NT-D)，该非目标管芯(NT-D)的终端电阻为非目标终端电阻(NT-ODT)，所述目标终端电阻(T-D)的工作模式包括读模式和写模式；

所述目标管芯(T-D)通过所述通信路径向所述非目标管芯(NT-D)发送通知信号，以将所述目标管芯(NT-D)的工作模式通知给所述非目标管芯(NT-D)。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述非目标管芯(NT-D)配置为，响应于从所述目标管芯(T-D)接收到所述通知信号，根据所述目标管芯(T-D)的工作模式的不同，而将所述非目标终端电阻(NT-ODT)设置为不同的电阻值。

3.根据权利要求1或2所述的存储器，其中，所述通知信号为阶跃信号，包括前阶跃沿和后阶跃沿，所述阶跃信号在读模式中发出，并且所述阶跃信号的前阶跃沿发生在所述目标管芯(T-D)读模式中数据传输开始之前，后阶跃沿发生在所述目标管芯(T-D)读模式中数据传输结束之后。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的存储器，其中，所述目标终端电阻(T-ODT)的电阻值被设置为不低于所述非目标终端电阻(NT-ODT)的电阻值。

5.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述目标终端电阻(T-ODT)被断开。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的存储器，其中，在所述读模式下，所述非目标终端电阻(NT-ODT)的电阻值被设置为不小于60ohm。

7.根据权利要求6所述的存储器，其中，在所述读模式下，所述非目标终端电阻(NT-ODT)被设置为断开。

8.根据权利要求1-5中任意一项所述的存储器，其中，在所述写模式下，所述非目标终端电阻(NT-ODT)的电阻值被设置为不大于120ohm。

9.根据权利要求8所述的存储器，其中，所述非目标终端电阻(NT-ODT)的电阻值被设置为240/N ohm中的任意一个，其中N为2-10中的任意一个整数。

10.根据权利要求1-9中任意一项所述的存储器，其中，所述通信路径设置在每两个管芯(D1-Dn)之间。

11.根据权利要求1-9中任意一项所述的存储器，其中，所述通信路径将所述管芯(D1-Dn)形成环形连接，以使得每个管芯能与其相邻的管芯进行通信。

12.根据权利要求1-9中任意一项所述的存储器，其中，所述通信路径将所述管芯(D1-Dn)形成星形连接，包括中央管芯和边缘管芯，其中所述中央管芯处于中央位置，所述边缘管芯与所述中央管芯连接。

13.根据权利要求12所述的存储器，其中，所述相邻边缘管芯之间连接。

14.根据权利要求1-13中任意一项所述的存储器，其中，所述通信路径为单个双向通信路径。

15.根据权利要求1-13中任意一项所述的存储器，其中，述通信路径为两个反向的单向通信路径。

16.根据权利要求1-11中任意一项所述的存储器，进一步包括模式寄存器(MR)，所述模式寄存器中存储有参数列表，以使得所述存储器能够根据所述参数列表来设置至少所述多个管芯(D1-Dn)。