[发明专利]一种提高LED光效的方法

权利要求书

1.一种提高LED光效的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、LED外延片的制备：在LED衬底上依次外延生长N型掺杂GaN层、多量子阱层、发光量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层，蒸镀形成负极和正极，其中，负极形成在刻蚀后暴露的N型掺杂GaN层上，正极形成在P型掺杂GaN层上，得到LED外延片；

步骤S2、ITO透明导电层的制备：将经过步骤S1制成的LED外延片，放置在蒸镀腔的载盘上，并将所述LED外延片温度维持180-220℃，在流量为12-15sccm的氧气气氛中，以1.5-3.5埃/秒的薄膜沉积速率在所述LED外延片表面制备ITO透明导电层；

步骤S3、热处理：依次进行正火和回火处理；

步骤S4、在LED芯片的表面贴覆隔热透明膜。

2.根据权利要求1所述的提高LED光效的方法，其特征在于，步骤S1中所述电子阻挡层为pAlGaN/InMgN/pInGaN电子阻挡层、PAlGaN/PInGaN电子阻挡层中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的提高LED光效的方法，其特征在于，步骤S3中所述所述正火温度520-600℃，保温时间为4-8分钟；所述回火温度为350-400℃，保温时间3-5分钟。

4.根据权利要求1所述的提高LED光效的方法，其特征在于，所述LED芯片的晶型为4H-SiC或6H-SiC。

5.根据权利要求1所述的提高LED光效的方法，其特征在于，所述隔热透明膜是由超支化环氧树脂和碳酸烯丙基苯酯/氨乙烯基丙二酸二乙酯/3-氨基巴豆腈/双(三乙氧基硅基)乙烯共聚物共混制成。

6.根据权利要求5所述的提高LED光效的方法，其特征在于，所述碳酸烯丙基苯酯/氨乙烯基丙二酸二乙酯/3-氨基巴豆腈/双(三乙氧基硅基)乙烯共聚物的制备方法，包括如下步骤：将碳酸烯丙基苯酯、氨乙烯基丙二酸二乙酯、3-氨基巴豆腈、双(三乙氧基硅基)乙烯、引发剂加入到高沸点溶剂中，在氮气或惰性气体氛围下，65-80℃下搅拌反应4-6小时，后在水中沉出，用乙醇洗涤产物，最后置于真空干燥箱中80-90℃下干燥至恒重，得到所述碳酸烯丙基苯酯/氨乙烯基丙二酸二乙酯/3-氨基巴豆腈/双(三乙氧基硅基)乙烯共聚物。

7.根据权利要求6所述的提高LED光效的方法，其特征在于，所述碳酸烯丙基苯酯、氨乙烯基丙二酸二乙酯、3-氨基巴豆腈、双(三乙氧基硅基)乙烯、引发剂、高沸点溶剂的质量比为1:2:1:0.5:(0.03-0.05):(15-25)。

8.根据权利要求6所述的提高LED光效的方法，其特征在于，所述引发剂为偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈中的至少一种；所述高沸点溶剂为二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺中的至少一种；所述惰性气体为氦气、氖气、氩气中的一种。