[发明专利]一种内插倍数可变的GMSK调制实现方法

权利要求书

1.一种内插倍数可变的GMSK调制实现方法，其特征在于，包括：

GMSK信号表示为：

其中：h为调制指数，T_b代表符号周期，b_i为第i比特预编码后的数据，取值为±1，g(t)为高斯滤波器的矩形脉冲响应，ω_c为载波频率；式中t为数字采样时间，间隔为T_b/n_s，n_s代表内插倍数，n_s等于D/A芯片的采样时钟与符号速率的比值；

式(2)改写为：

建立L比特数据与相位的对应关系；

对通信输入的原始信息序列d_i进行差分预编码得到b_i，d_i取值为0、1，b_i取值为+1、-1，i为自然数；差分预编码规则为：首先计算设该值为a_i，a_i取值为0、1，再对a_i进行下述变换：b_i＝1-2×a_i，即可得到b_i；

根据不同内插倍数使用需求，确定多个内插倍数数值，记为n₁、n₂......n_k，k为大于等于1的整数，n_k为大于等于2的偶数；

计算n₁、n₂……n_k的公倍数n_s，n_s为大于等于2的偶数，且n_s≥n_k；

利用式(3)求出内插倍数为n_s时L比特b_i数据与相位的对应关系，有2^L×n_s种取值；

求出在每种取值时所对应的余弦值和正弦值余弦值和正弦值也各有2^L×n_s种取值；

将值和值分别存入FPGA芯片的两个ROM表内；

计算读地址步进，设配置的内插倍数为n_k，计算n_s/n_k的值，记为Δn，由于n_s是n₁、n₂……n_k的公倍数，所以Δn取值为大于等于1的正整数，将Δn作为读地址步进；读取余弦ROM表和正弦ROM表。

2.如权利要求1所述的内插倍数可变的GMSK调制实现方法，其特征在于，信号相位转移φ(t)取决于包含当前比特在内的前后L比特数据，忽略其它比特数据对相位转移的影响。

3.如权利要求1所述的内插倍数可变的GMSK调制实现方法，其特征在于，建立L比特数据与相位的对应关系后，存入FPGA芯片的ROM表。

4.如权利要求2所述的内插倍数可变的GMSK调制实现方法，其特征在于，ROM表中的内插倍数设计为多种内插倍数的公倍数，根据内插倍数参数设置，利用不同的步进抽取ROM表中数据。

5.如权利要求2所述的内插倍数可变的GMSK调制实现方法，其特征在于，每个ROM表深度大于等于2^L×n_s。

6.如权利要求2所述的内插倍数可变的GMSK调制实现方法，其特征在于，ROM表位宽由FPGA芯片后级的数模转换芯片分辨精度决定。

7.如权利要求1所述的内插倍数可变的GMSK调制实现方法，其特征在于，读取余弦ROM表和正弦ROM表过程中，读地址由L比特数据和n_s共同决定，Δn为读地址步进，根据读地址和读地址步进分别读取两个ROM表，读表输出式(1)中的和