[发明专利]一种测试正性光刻胶感度的方法

说明书

本发明揭示了一种测试正性光刻胶感度的方法，将正性光刻胶样品和标准品进行涂膜、曝光及显影后读取硅片上的开点数，并计算可得到正性光刻胶的Eth值。包括以下步骤：S1)、在涂膜显影机中设置不同转速，对光刻的胶样品以及标准品进行涂膜，并控制样品与标准品的膜厚差在±范围之内；S2)、将光刻的胶样品和标准品在曝光机上同时进行曝光；S3)、曝光完成后在涂膜显影机上显影；S4)、读取硅片上的开点数，计算样品感度。整个过程耗时短，可靠性强，重复性好，实现了对正性光刻胶生产的工艺把控。

技术领域：

本发明涉及一种测试方法，特别涉及一种正性光刻胶感度的测试方法。

背景技术：

光刻胶是一类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，又称光致抗蚀剂，是树脂、感光化合物(PAC)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体，另外根据不同要求，还添加一定量的添加剂。树脂经光照后，在曝光区域能很快地发生光化学反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化，因此在平板显示、集成电路，半导体封装等领域得到了广泛的应用。光刻胶按照感光特性可以分为正性光刻胶和负性光刻胶，而现在的元件制程为了要求产能，通常需要较高的感光度，以缩短曝光时间，达到最大产能。正性光刻胶感度传统上定义为曝光区要产生完全溶解所需入射光的能量(Dose)来表示，测量正性光刻胶感度通常所用的方法为残膜收率法，即取曝光显影前后膜厚比为纵轴，曝光能量为横轴，绘制成特性曲线，以解析其感度特性的方法。这种方法需要损耗较多样品，过程繁琐，并且容易受其他因素干扰，存在偏差。而我们以Dose值为基础，用标准品和样品同时进行测试，用样品和标准品的偏差值Eth(％)来最终反应光刻胶感度的大小。

发明内容：

本发明涉及一种测试正性光刻胶感度的方法，将正性光刻胶样品和标准品进行涂膜、曝光及显影后读取硅片上的开点数，并根据计算公式可得到正性光刻胶的Eth值。为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种测试正性光刻胶感度的方法，包括以下步骤：

S1)、在涂膜显影机中设置转速，对不同粘度的光刻胶以及标准品样品进行涂膜，并控制样品与标准品的膜厚差在范围之内；

S2)、将样品和标准品在曝光机上同时进行曝光；

S3)、曝光完成后在涂膜显影机上显影；

S4)、读取硅片上的开点数，计算样品感度。

本发明主要有益效果是：

整个过程耗时短，可靠性强，重复性好，实现了对正性光刻胶生产的工艺把控。

附图说明：

图1揭示了第一实施例中一种测试正性光刻胶感度的方法的工艺步骤图。

具体实施方式：

本发明上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变的更加明显，在附图中相同的附图标记始终表示相同的特征，其中：

参考图1，图1揭示了第一实施例中一种测试正性光刻胶感度的方法的工艺步骤图。一种测试正性光刻胶感度的方法，包括以下步骤：

S1)、在涂膜显影机中设置转速，对不同粘度的光刻胶以及标准品样品进行涂膜，并控制样品与标准品的膜厚差在范围之内；

S2)、将样品和标准品在曝光机上同时进行曝光；

S3)、曝光完成后在涂膜显影机上显影；

S4)、读取硅片上的开点数，计算样品感度。

下面结合实例对本发明做进一步详细说明

实施例一(3.2cP正性光刻胶)：