[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

在第一源极层上方形成包括氮化物的第一牺牲层；

在所述第一牺牲层上方形成包括氧化铝的第二牺牲层；

在所述第二牺牲层上方形成第二源极层；

在所述第二源极层上方形成层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的第一材料层和第二材料层；

形成穿过所述层叠结构、所述第二源极层、所述第二牺牲层和所述第一牺牲层的沟道层，所述沟道层被存储器层包围；

形成穿过所述层叠结构和所述第二源极层的狭缝，所述狭缝露出所述第二牺牲层；

在所述狭缝中形成多晶硅间隔件；

通过经由所述狭缝去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层来形成开口；

通过经由所述开口蚀刻所述存储器层来露出所述沟道层；以及

在所述开口中形成接触所述沟道层的第三源极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，当去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层时，所述第一材料层和所述第二材料层由所述多晶硅间隔件保护。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，当部分地蚀刻所述存储器层时，所述第一材料层和所述第二材料层由所述多晶硅间隔件保护。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多晶硅间隔件的步骤包括以下步骤：

在所述狭缝中形成多晶硅材料层；以及

蚀刻所述多晶硅材料层和所述第二牺牲层，以露出所述第一牺牲层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多晶硅间隔件的步骤包括以下步骤：

在所述狭缝中形成多晶硅材料层；以及

蚀刻所述多晶硅材料层、所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，以露出所述第一源极层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第三源极层的步骤包括以下步骤：

在所述开口和所述狭缝中沉积多晶硅层；以及

通过湿法蚀刻工艺蚀刻所述狭缝中的所述多晶硅层来形成所述第三源极层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，当通过所述湿法蚀刻工艺蚀刻所述多晶硅层时，在所述第一源极层的上表面处形成凹槽。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述凹槽位于所述狭缝下方。

9.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

通过所述狭缝用第三材料层替换所述第一材料层；以及

在所述狭缝中形成绝缘层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一牺牲层的厚度比所述第二牺牲层的厚度大。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一源极层形成在金属源极层上方。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一源极层、所述第二源极层和所述第三源极层中的每个包括多晶硅。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多晶硅间隔件是单层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述狭缝在与所述层叠结构的下表面相对应的第一水平处具有第一宽度，并且在与所述第二源极层的上表面相对应的第二水平处具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。