[发明专利]埋入式磁阻式存储器结构及其制作方法

权利要求书

1.一种埋入式磁阻式存储器结构，其特征在于，包含：

基底，划分为存储器区和逻辑元件区；

主动区域，设置于该基底的该存储器区；

第一字符线，设置于该基底上并且与该主动区域交错；

源极插塞，接触于该主动区域内并且位于该第一字符线的一侧；

漏极插塞，接触该主动区域并且位于该第一字符线的另一侧，其中由垂直该基底的上表面的方向观看，以该第一字符线为对称轴，该源极插塞为该漏极插塞的镜像；

第一源极金属层接触该源极插塞、第一漏极金属层接触该漏极插塞；

第一源极通孔插塞接触该第一源极金属层、第一漏极通孔插塞接触该第一漏极金属层；

源极线接触该第一源极通孔插塞、第二漏极金属层接触该第一漏极通孔插塞，其中该源极线的上表面和该第二漏极金属层的上表面切齐；

钨插塞，接触该第二漏极金属层；

磁阻式存储单元，接触该钨插塞；

第三漏极通孔插塞，接触该磁阻式存储单元；以及

位线，接触该第三漏极通孔插塞。

2.如权利要求1所述的埋入式磁阻式存储器结构，其中该源极插塞和该漏极插塞为长条状。

3.如权利要求1所述的埋入式磁阻式存储器结构，另包含多个该源极插塞设置在该主动区域，多个该漏极插塞设置在该主动区域。

4.如权利要求1所述的埋入式磁阻式存储器结构，另包含逻辑元件和金属内连线，共同设置于该逻辑元件区，其中该逻辑元件包含：第二字符线设置于该基底上，掺杂区设置在该基底中并且位于该第二字符线的一侧，插塞接触该掺杂区，该金属内连线包含：第一金属层接触该插塞、第一通孔插塞接触该第一金属层、第二金属层接触该第一通孔插塞、第二通孔插塞接触该第二金属层、第三金属层接触该第二通孔插塞、第三通孔插塞接触该第三金属层、第四金属层接触该第三通孔插塞，其中该第二金属层的上表面和该源极线的上表面切齐，该第二通孔插塞的上表面和该钨插塞的上表面切齐，该第三金属层的上表面和该磁阻式存储单元的上表面切齐，该第四金属层的上表面和该位线的上表面切齐。

5.如权利要求1所述的埋入式磁阻式存储器结构，其中该漏极插塞、该第一漏极金属层、该第一漏极通孔插塞、该第二漏极金属层、该钨插塞、该磁阻式存储单元、该第三漏极通孔插塞和该位线由下至上依序堆叠。

6.如权利要求1所述的埋入式磁阻式存储器结构，其中该源极插塞、该第一源极金属层、该第一源极通孔插塞和该源极线由下至上依序堆叠。

7.如权利要求1所述的埋入式磁阻式存储器结构，其中该第一漏极金属层、该第一漏极通孔插塞、该第二漏极金属层、该第三漏极通孔插塞和该位线、该第一源极金属层、该第一源极通孔插塞和该源极线包含铜。

8.一种埋入式磁阻式存储器结构的制作方法，包含：

提供基底划分为存储器区和逻辑元件区，主动区域设置于该基底的该存储器区，第一字符线设置于该基底上并且与该主动区域交错；

形成源极插塞和漏极插塞，该源极插塞接触该主动区域并且位于该第一字符线的一侧，该漏极插塞位接触该主动区域并且位于该第一字符线的另一侧，其中由垂直该基底的上表面的方向观看，以该第一字符线为对称轴，该源极插塞为该漏极插塞的镜像；

同时形成第一源极金属层接触该源极插塞和第一漏极金属层接触该漏极插塞；

同时形成第一源极通孔插塞接触该第一源极金属层和第一漏极通孔插塞接触该第一漏极金属层；

同时形成源极线接触该第一源极通孔插塞和第二漏极金属层接触该第一漏极通孔插塞，其中该源极线的上表面和该第二漏极金属层的上表面切齐；

形成钨插塞接触该第二漏极金属层；

形成磁阻式存储单元接触该钨插塞；

形成第三漏极通孔插塞接触该磁阻式存储单元；以及

形成位线接触该第三漏极通孔插塞。