[发明专利]一种半导体金属氧化物WO3

权利要求书

1.一种半导体金属氧化物WO₃的水热制备方法，其特征在于：将钨源与铵源以一定比例在水中进行混合，充分溶解成均相溶液，将均相溶液转移到反应釜中进行水热处理，水热固体以水和乙醇洗涤后经真空干燥得到产物，高温焙烧后制备得到WO₃纳米材料。

2.根据权利要求1所述的半导体WO₃的水热制备方法，其特征在于：所述的钨源为二水合钨酸钠、钨酸铵、钨酸锌中的一种或几种，所述的铵源为硫脲、硫代乙酰胺、盐酸羟胺中的一种或几种。

3.根据权利要求1或2所述的半导体WO₃的水热制备方法，其特征在于：所述的钨源与铵源的投料摩尔比例为1:5-5:1，优选1:5-3:1，更优选1:3-3:1。

4.根据权利要求1所述的半导体WO₃的水热制备方法，其特征在于：所述的水热反应时间为2-48h，优选6-36h，更优选12-24h；反应温度为180-300℃；优选200-280℃，更优选200-250℃。

5.根据权利要求1所述的半导体WO₃的水热制备方法，其特征在于：所述的提纯烘干后的产物的焙烧温度为400-800℃，优选400-700℃，更优选500-600℃；焙烧时间为1-6h，优选1-4h，更优选2-4h。

6.根据权利要求3所述的半导体WO₃的水热制备方法，其特征在于：钨源在水中的质量浓度0.1-5mmol/mL，优选0.1-3mmol/mL，更优选0.1-2mmol/mL。

7.根据权利要求1所述的半导体WO₃的水热制备方法，其特征在于：本方法利用水热条件下钨酸钠铵盐分解得三氧化钨具有均一的针状纳米棒结构，无需使用表面活性剂或模板，因此后处理简单，制备的三氧化钨无杂质纯净。

8.一种权利要求1-7任一所述的半导体WO₃的水热制备方法获得的三氧化钨；针状纳米棒二端直径范围分别为5-30nm和200-500nm，长度为3-20μm。